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ルネサス エレクトロニクス株式会社 (Renesas Electronics Corporation) - 6月はプライド月間として、LGBTQ+の権利や文化、コミュニティについて啓発する世界的な活動月間です

特長

  • Logic level operation (4 V Gate drive).
  • Built-in the over temperature shut-down circuit.
  • High endurance capability against to the short circuit.
  • Latch type shut down operation (need 0 voltage recovery).
  • Built-in the current limitation circuit.
  • Power supply voltage applies 12 V and 24 V.
  • For Industrial applications

説明

This FET has the over temperature shut-down capability sensing to the junction temperature. This FET has the built-in over temperature shut-down circuit in the gate area. And this circuit operation to shut-down the gate voltage in case of high junction temperature like applying over power consumption, over current etc. .

パラメータ

属性
Qualification LevelIndustrial
Nch/PchNch
Channels (#)1
Standard Pkg. TypeTO-252 / DPAK
Gate LevelLogic
VDSS (Max) (V)60
ID (A)20
RDS (ON) (Max) @10V (mohm)38
RDS (ON) (Max) @4.5V (mohm)50
Pch (W)40
Series NameThermal FETs

パッケージオプション

Pkg. TypeLead Count (#)
DPAK(S)4
Part NumberStatusSamplesStockPackageBudgetary Price (USD)Lead Count (#)Carrier TypeMoisture Sensitivity Level (MSL)Pb (Lead) FreeCountry of AssemblyCountry of Wafer Fabrication
RJF0605DPD-00#J3ActiveAvailableOut of StockDPAK(S)1ku | $0.8634#Embossed Tape1YesMALAYSIAJAPAN
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