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ルネサス エレクトロニクス株式会社 (Renesas Electronics Corporation)
–60V,–7A P チャネル サーマル FET電力スイッチン

パッケージ情報

CADモデル:View CAD Model
Pkg. Type:HSON
Pkg. Code:pkg_11567
Lead Count (#):8
Pkg. Dimensions (mm):5.4 x 5 x 1.45
Pitch (mm):

環境及び輸出分類情報

Moisture Sensitivity Level (MSL)1
ECCN (US)
HTS (US)8542.39.0090
RoHS (RJE0627JNS-00#Q7)英語日本語
Pb (Lead) FreeYes

製品スペック

Pkg. TypeHSON
Standard Pkg. Type8-pin HSON Dual
Carrier TypeEmbossed Tape
Moisture Sensitivity Level (MSL)1
ApplicationAutomotive Use
Automotive Qual.Yes
Channels (#)2
Channels per device (#)2
FunctionThermal FETs
ID (A)-7
Lead CompliantNo
Lead Count (#)8
Length (mm)5.4
MOQ2500
Mounting TypeSurface Mount
Nch/PchPch
Pb (Lead) FreeYes
Pch (W)30
Pkg. Dimensions (mm)5.4 x 5 x 1.45
Qualification LevelAutomotive
RDS (ON) (Max) @10V (mohm)260
RDS (ON) (Max) @4.5V (mohm)400
RDS (ON) (Typical) @ 10V / 8V (mohm)232
RDS (on) (Max) @4V to 4.5V (mohm)400
RDS (on) (Max) @8V to 10V (mohm)260
RDS (on) (ohm) typ. @4V to 4.5V (mohm)312
RDS (on) (ohm) typ. @8V to 10V (mohm)232
Series NameThermal FETs
Simulation Model AvailableYes
Tape & ReelNo
Thickness (mm)1.45
VDSS (Max) (V)-60
Vgs (off) (Max) (V)-2.1
Width (mm)5

説明

本製品はゲート印加電圧によりドレイン・ソース間のON-OFF 制御ができるパワースイッチです。構造はパワーMOS FETのゲート部に過熱遮断回路を内蔵しており,異常な周囲温度上昇,過電力,過電流による発熱に対してゲート遮断動作によりパワーMOS FET を保護する働きを持っています。