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ルネサス エレクトロニクス株式会社 (Renesas Electronics Corporation) - 6月はプライド月間として、LGBTQ+の権利や文化、コミュニティについて啓発する世界的な活動月間です
FRD内蔵 IGBT 650V 75A TO-247A

パッケージ情報

CADモデル:View CAD Model
Pkg. Type:TO-247A
Pkg. Code:pkg_8818
Lead Count (#):3
Pkg. Dimensions (mm):
Pitch (mm):

環境及び輸出分類情報

Moisture Sensitivity Level (MSL)1
Pb (Lead) FreeYes
ECCN (US)
HTS (US)

製品スペック

Pkg. TypeTO-247A
Lead Count (#)3
Carrier TypeTube
Moisture Sensitivity Level (MSL)1
Pb (Lead) FreeYes
ApplicationInverter
Channels (#)1
ConfigurationBuilt-In FRD
FRD Vf (V)1.7
FRD trr (ns)72
IC @100 °C (A)75
IC @25 °C (A)150
Ic (Peak) (A)300
Lead CompliantNo
MOQ1
Mounting TypeThrough Hole
Pc (W)312
Pch (W)312
Qualification LevelIndustrial
Series NameRBNxxH65T1 Series
Simulation Model AvailableYes
Tape & ReelNo
VCE (sat) (V)1.5
VCES (V)650
VDSS (Max) (V)650
tf (Typical) (µs)0.037

説明

RBN75H65T1FPQ-A0は650V、75Aのトレンチ絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ(IGBT)で、コレクタ・エミッタ間飽和電圧が低く、ファストリカバリダイオード(FRD)を内蔵しており、パワー・スイッチング・アプリケーションに使用できます。TO-247Aパッケージで提供されます。