パッケージ情報
| CADモデル: | View CAD Model |
| Pkg. Type: | Wafer |
| Pkg. Code: | |
| Lead Count (#): | |
| Pkg. Dimensions (mm): | |
| Pitch (mm): |
環境及び輸出分類情報
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | |
| Pb (Lead) Free | No |
| ECCN (US) | |
| HTS (US) |
製品スペック
| Pkg. Type | Wafer |
| Application | Inverter |
| Channels (#) | 1 |
| IC @100 °C (A) | 25 |
| Lead Compliant | Yes |
| MOQ | 1 |
| Nch/Pch | Nch |
| Pb (Lead) Free | No |
| Qualification Level | Industrial |
| Series Name | RBNxxN125S1U Series |
| Tape & Reel | No |
| VCE (sat) (V) | 1.8 |
| VCES (V) | 1250 |
| tsc (μs) | 10 |
RBN25N125S1UFWA に関するリソース
説明
ルネサスの第8世代絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（IGBT）は、プロセス構造に独自のトレンチゲート構造を採用しました。 前世代のIGBTと比べて高速スイッチング特性を向上し、飽和電圧の低下により導通損失の低減を実現しました。
RBN25N125S1UFWAは1250V/25AのIGBT製品で、コレクタ・エミッタ間飽和電圧が低く、パワー・スイッチング・アプリケーションに使用できます。 Unsawn waferで提供されます。