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ルネサス エレクトロニクス株式会社 (Renesas Electronics Corporation) - 6月はプライド月間として、LGBTQ+の権利や文化、コミュニティについて啓発する世界的な活動月間です
ANL4 NチャネルパワーMOSFET 40V–50A–5.8mΩ–SO8-FL 5x6

パッケージ情報

CADモデル:View CAD Model
Pkg. Type:SO8-FL
Pkg. Code:
Lead Count (#):8
Pkg. Dimensions (mm):5.15 x 6.10 x 1.00
Pitch (mm):

環境及び輸出分類情報

Moisture Sensitivity Level (MSL)1
Pb (Lead) FreeYes
ECCN (US)
HTS (US)8541.29.0095
RoHS (RBE058N04R0SZN6#HB0)英語日本語

製品スペック

Pkg. TypeSO8-FL
Lead Count (#)8
Carrier TypeEmbossed Tape
Moisture Sensitivity Level (MSL)1
Pb (Lead) FreeYes
Channels (#)1
Ciss (Typical) (pF)1200
Country of AssemblyMALAYSIA
Country of Wafer FabricationJAPAN
FunctionPower MOSFETs
Gate LevelStandard
ID (A)50
Id max @ 25°C (A)50
Lead CompliantNo
Length (mm)6.1
MOQ5000
Mounting TypeSurface Mount
Nch/PchNch
Pch (W)47
Pkg. Dimensions (mm)5.15 x 6.10 x 1.00
Qg typ (nC)24
Qualification LevelIndustrial
RDS (ON) (Max) @10V (mohm)5.8
RDS (ON) (Typical) @ 10V / 8V (mohm)4.98
Series NameANL4
Simulation Model AvailableYes
Standard Pkg. TypeSO8-FL 5x6 BSC
Tape & ReelYes
Thickness (mm)1
VDSS (Max) (V)40
VGSS (V)20
Vgs (off) (Max) (V)4
Width (mm)5.15

説明

40V製品は、低オン抵抗を特長としています。 加えて、入力容量、及びゲート電荷を低減し、より効率的なスイッチングを可能にします。 この技術により、高速スイッチングと低電力損失を実現できるため、電力効率が向上します。 さらに、耐久性と信頼性が向上し、モーター制御やバッテリー管理システムなどの産業用途に適しています。