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ルネサス エレクトロニクス株式会社 (Renesas Electronics Corporation)
150V, 200A, 3.4mΩ, TOLT, REXFET-1 NチャネルパワーMOSFET

パッケージ情報

CADモデル:View CAD Model
Pkg. Type:TOLT
Pkg. Code:
Lead Count (#):16
Pkg. Dimensions (mm):9.90 x 15.00 x 2.30
Pitch (mm):

環境及び輸出分類情報

Moisture Sensitivity Level (MSL)1
ECCN (US)
HTS (US)8541.29.0095
RoHS (RBE034N15R1SZPW#KB0)英語日本語
Pb (Lead) FreeYes

製品スペック

Pkg. TypeTOLT
Standard Pkg. TypeTOLT
Lead Count (#)16
Carrier TypeEmbossed Tape
Moisture Sensitivity Level (MSL)1
Channels (#)1
Ciss (Typical) (pF)6200
Country of AssemblyCHINA
Country of Wafer FabricationCHINA
FunctionPower MOSFETs
Gate LevelStandard
ID (A)200
Id max @ 25°C (A)200
Lead CompliantNo
Length (mm)15
MOQ1300
Mounting TypeSurface Mount
Nch/PchNch
Pb (Lead) FreeYes
Pch (W)366
Pkg. Dimensions (mm)9.90 x 15.00 x 2.30
Price (USD)$4.7476
Qg typ (nC)86
Qualification LevelIndustrial
RDS (ON) (Max) @10V (mohm)3.4
RDS (ON) (Typical) @ 10V / 8V (mohm)2.8
Series NameREXFET-1
Simulation Model AvailableYes
Tape & ReelYes
Thickness (mm)2.3
VDSS (Max) (V)150
VGSS (V)20
Vgs (off) (Max) (V)3.7
Width (mm)9.9

説明

RBE034N15R1SZPW NチャネルパワーMOSFETは、REXFET-1スプリットゲート技術を採用し、TOLTパッケージで提供されます。 TOLTパッケージは、超小型で最適な熱性能を実現するトップサイド冷却を採用しています。

Renesasのスプリットゲートテクノロジーは、低RDS(on)とスイッチング能力を備え、高出力・高周波アプリケーションに最適です。