パッケージ情報
| CADモデル: | View CAD Model |
| Pkg. Type: | TOLG |
| Pkg. Code: | |
| Lead Count (#): | 8 |
| Pkg. Dimensions (mm): | 9.90 x 11.70 x 2.50 |
| Pitch (mm): |
環境及び輸出分類情報
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 |
| ECCN (US) | |
| HTS (US) | 8541.29.0095 |
| RoHS (RBE015N10R1SZPV#GB0) | 英語日本語 |
| Pb (Lead) Free | Yes |
製品スペック
| Pkg. Type | TOLG |
| Standard Pkg. Type | TOLG |
| Lead Count (#) | 8 |
| Carrier Type | Embossed Tape |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 |
| Channels (#) | 1 |
| Ciss (Typical) (pF) | 13000 |
| Country of Assembly | MALAYSIA |
| Country of Wafer Fabrication | JAPAN |
| Function | Power MOSFETs |
| Gate Level | Standard |
| ID (A) | 340 |
| Id max @ 25°C (A) | 340 |
| Lead Compliant | No |
| Length (mm) | 11.7 |
| MOQ | 1500 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Nch/Pch | Nch |
| Pb (Lead) Free | Yes |
| Pch (W) | 468 |
| Pkg. Dimensions (mm) | 9.90 x 11.70 x 2.50 |
| Price (USD) | $2.27204 |
| Qg typ (nC) | 170 |
| Qualification Level | Industrial |
| RDS (ON) (Max) @10V (mohm) | 1.5 |
| RDS (ON) (Typical) @ 10V / 8V (mohm) | 1.3 |
| Series Name | REXFET-1 |
| Simulation Model Available | Yes |
| Tape & Reel | Yes |
| Thickness (mm) | 2.5 |
| VDSS (Max) (V) | 100 |
| VGSS (V) | 20 |
| Vgs (off) (Max) (V) | 4 |
| Width (mm) | 9.9 |
RBE015N10R1SZPV に関するリソース
説明
RBE015N10R1SZPV NチャネルパワーMOSFETは、REXFET-1スプリットゲート技術を採用し、TOLGパッケージで提供されます。 TOLGパッケージはTOLLパッケージと同様のプロファイルとフットプリントですが、ガルウィングリードによる高い熱サイクル能力の利点があります。
Renesasのスプリットゲートテクノロジーは、低RDS(on)とスイッチング能力を備え、高出力・高周波アプリケーションに最適です。
