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ルネサス エレクトロニクス株式会社 (Renesas Electronics Corporation)
100V、340A、1.5mΩ、TOLG、Nチャネル、REXFET-1 パワーMOSFET

パッケージ情報

CADモデル:View CAD Model
Pkg. Type:TOLG
Pkg. Code:
Lead Count (#):8
Pkg. Dimensions (mm):9.90 x 11.70 x 2.50
Pitch (mm):

環境及び輸出分類情報

Moisture Sensitivity Level (MSL)1
ECCN (US)
HTS (US)8541.29.0095
RoHS (RBE015N10R1SZPV#GB0)英語日本語
Pb (Lead) FreeYes

製品スペック

Pkg. TypeTOLG
Standard Pkg. TypeTOLG
Lead Count (#)8
Carrier TypeEmbossed Tape
Moisture Sensitivity Level (MSL)1
Assembly LocationJAPAN
Channels (#)1
Ciss (Typical) (pF)13000
FunctionPower MOSFETs
Gate LevelStandard
ID (A)340
Id max @ 25°C (A)340
Lead CompliantNo
Length (mm)11.7
MOQ1500
Mounting TypeSurface Mount
Nch/PchNch
Pb (Lead) FreeYes
Pch (W)468
Pkg. Dimensions (mm)9.90 x 11.70 x 2.50
Price (USD)$2.27204
Qg typ (nC)170
Qualification LevelIndustrial
RDS (ON) (Max) @10V (mohm)1.5
RDS (ON) (Typical) @ 10V / 8V (mohm)1.3
Series NameREXFET-1
Simulation Model AvailableYes
Tape & ReelYes
Thickness (mm)2.5
VDSS (Max) (V)100
VGSS (V)20
Vgs (off) (Max) (V)4
Wafer Fab LocationJAPAN
Width (mm)9.9

説明

RBE015N10R1SZPV NチャネルパワーMOSFETは、REXFET-1スプリットゲート技術を適用したTOLGパッケージの製品です。 TOLGパッケージはTOLLパッケージとフットプリント互換性があり、さらにガルウィングリードを採用することで高い温度サイクル耐量を実現します。

ルネサスのREXFET-1スプリットゲート技術は、低RDS(on)と高いスイッチング性能を備え、高出力・高周波アプリケーションに最適です。