特長
- 10Vゲート駆動 : VGS(th) = 2.0V〜4.0V
- 超低オン抵抗:RDS(on) =最大3.5mΩ
- 低入力容量
- 車載アプリケーション向けに設計され、AEC-Q101認定済み
RBA80N04DANS-4UA04 Outline
説明
40V製品は、低オン抵抗を特長としています。 加えて、入力容量、及びゲート電荷を低減し、より効率的なスイッチングを可能にします。 この技術により、高速スイッチングと低電力損失を実現できるため、電力効率が向上します。 さらに、耐久性と信頼性を向上させ、パワーマネジメントシステム、モータドライブ、DC/DCコンバータなどの車載アプリケーションに適しています。
パラメータ
| 属性 | 値 |
|---|---|
| Qualification Level | Automotive |
| Nch/Pch | Nch |
| Channels (#) | 1 |
| Standard Pkg. Type | SO8-FL 5x6 BSC |
| Gate Level | Standard |
| VDSS (Max) (V) | 40 |
| ID (A) | 80 |
| RDS (ON) (Max) @10V (mohm) | 3.5 |
| Pch (W) | 71 |
| Ciss (Typical) (pF) | 2100 |
| Qg typ (nC) | 40 |
| Series Name | ANL4 |
パッケージオプション
| Pkg. Type | Pkg. Dimensions (mm) | Lead Count (#) |
|---|---|---|
| SO8-FL | 5.15 x 6.10 x 1.00 | 8 |
アプリケーション
- 12V負荷電動パワーステアリング(EPS)
- アンチロックブレーキシステム(ABS)
- パワーマネジメントシステム(PMS)
- バッテリマネジメントシステム(BMS)
- 電子ヒューズ(E-fuse)
| 型名 | 状態 | サンプル | 在庫 | RoHS | パッケージ | 参考価格（米ドル） | Lead Count (#) | Carrier Type | Moisture Sensitivity Level (MSL) | Pb (Lead) Free |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RBA80N04DANS-4UA04#HB0 | Active | Available | 在庫あり | RoHS:EN RoHS:JA | SO8-FL | 1ku | $0.314 | 8# | Embossed Tape | 1 | Yes |
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- アプリケーションノート英語PDF 596 KB R07AN0051EJ0100 Rev.1.00 2026年4月27日Compares the thermal performance of automotive power MOSFETs in the TOLL (TO-Leadless) package and its derivatives, including the TOLT (TO-Leaded Top-side Cooling) package. The information presented in this document is intended to serve as a comprehensive guideline for designing high-power automotive systems.
- データシート英語RBA80N04DANS-4UA04 DatasheetRECOMMENDEDPDF 342 KB R07DS1579EJ0140 Rev.1.40 2026年3月04日The RBA80N04DANS-4UA04 is an AEC‑Q101 qualified N‑channel power MOSFET featuring low RDS(on) and low input capacitance for high‑speed switching and low power loss. It uses a Renesas SO8‑FL 5x6mm² flat‑lead, copper‑clip package, supporting high current with excellent thermal performance, durability, and reliability, making it ideal for automotive applications such as power management, motor drives, and efuse.
- アプリケーションノート英語PDF 936 KB R07AN0050EJ0100 Rev.1.00 2025年12月03日Measurement frequency and the influence of parasitic inductance are crucial in capacitance measurements for Power MOSFETs. Split-gate structures, with their low Crss and higher Ciss, face challenges from parasitic inductance, making high-frequency measurements difficult. In contrast, standard-gate trench structures allow relatively accurate results. The influence of parasitic inductance in actual measurements is examined from various perspectives.
- ガイド英語PDF 988 KB R07ZZ0016EJ0100 Rev.1.00 2025年12月03日The diagrams in this document show the recommended mounting pad layout dimensions for Renesas Power MOSFETs. In actual PCB design, optimization should consider mounting density, mountability, dimensional tolerances, and other relevant factors.
- アプリケーションノート日本語AI生成コンテンツ: 本資料は、MOSFETの絶対最大定格および電気的特性を25℃で説明しています。ドレイン・ソース電圧、ゲート・ソース電圧、ドレイン電流、アバランシェエネルギーなどの主要パラメータを定義し、これらの範囲内での使用を強調しています。電気的特性では、破壊電圧、しきい値電圧、オン抵抗、スイッチング時間などを詳細に解説しています。また、ケース温度に伴う許容チャネル損失と、安全動作領域（SOA）の5つの制限要因についても説明しています。
- アプリケーションノート日本語AI生成コンテンツ: この部分では、半導体デバイスのパッケージ選定について説明し、金属・セラミック・低融点ガラスの気密封止形とプラスチック封止形に分類しています。プラスチック封止形は信頼性が向上し、自動車や電子機器で広く使われています。面実装パッケージは小型・薄型・高密度実装が可能です。機械的取り扱いではリード成形や切断、プリント基板実装時の応力防止が重要です。ハンダ付けは低温短時間で行い、ロジン系フラックスと適切なアース付きこての使用を推奨しています。
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推奨ドキュメント (1)
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データシート (1)
- ガイド英語PDF 988 KB R07ZZ0016EJ0100 Rev.1.00 2025年12月03日The diagrams in this document show the recommended mounting pad layout dimensions for Renesas Power MOSFETs. In actual PCB design, optimization should consider mounting density, mountability, dimensional tolerances, and other relevant factors.
マニュアル、ガイド (2)
- アプリケーションノート英語PDF 596 KB R07AN0051EJ0100 Rev.1.00 2026年4月27日Compares the thermal performance of automotive power MOSFETs in the TOLL (TO-Leadless) package and its derivatives, including the TOLT (TO-Leaded Top-side Cooling) package. The information presented in this document is intended to serve as a comprehensive guideline for designing high-power automotive systems.
- アプリケーションノート英語PDF 936 KB R07AN0050EJ0100 Rev.1.00 2025年12月03日Measurement frequency and the influence of parasitic inductance are crucial in capacitance measurements for Power MOSFETs. Split-gate structures, with their low Crss and higher Ciss, face challenges from parasitic inductance, making high-frequency measurements difficult. In contrast, standard-gate trench structures allow relatively accurate results. The influence of parasitic inductance in actual measurements is examined from various perspectives.
- アプリケーションノート日本語AI生成コンテンツ: 本資料は、MOSFETの絶対最大定格および電気的特性を25℃で説明しています。ドレイン・ソース電圧、ゲート・ソース電圧、ドレイン電流、アバランシェエネルギーなどの主要パラメータを定義し、これらの範囲内での使用を強調しています。電気的特性では、破壊電圧、しきい値電圧、オン抵抗、スイッチング時間などを詳細に解説しています。また、ケース温度に伴う許容チャネル損失と、安全動作領域（SOA）の5つの制限要因についても説明しています。
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アプリケーションノート、ホワイトペーパー (5)
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