特長
- VDSS = 150V
- 標準駆動電圧対応：VGS(th) = 2.2~3.7V
- 超低オン抵抗：RDS(on) = 3.4mΩ以下
- ID = 200A
- 低入力容量
- 低熱抵抗
- パッケージ：TOLT
- 100%アバランチテスト済み
- AEC-Q101 準拠
- 生産部品承認プロセス（PPAP）対応可能
- 鉛フリー鉛めっき:RoHS対応
- IPC/JEDEC J-STD-020によるモイスチャーレベル1
RBA200N15YAPF-6UA03 Outline
説明
RBA200N15YAPF-6UA03 NチャネルパワーMOSFETは、REXFET-1スプリットゲート技術を採用し、TOLTパッケージで提供されます。 TOLTパッケージは、超小型で最適な熱性能を実現するトップサイド冷却を採用しています。
Renesasのスプリットゲートテクノロジーは、低RDS(on)とスイッチング能力を備え、高出力・高周波アプリケーションに最適です。
パラメータ
| 属性 | 値 |
|---|---|
| Qualification Level | Automotive |
| Nch/Pch | Nch |
| Channels (#) | 1 |
| Standard Pkg. Type | TOLT |
| Gate Level | Standard |
| VDSS (Max) (V) | 150 |
| ID (A) | 200 |
| RDS (ON) (Max) @10V (mohm) | 3.4 |
| Pch (W) | 366 |
| Ciss (Typical) (pF) | 6200 |
| Qg typ (nC) | 86 |
| Series Name | REXFET-1 |
パッケージオプション
| Pkg. Type | Pkg. Dimensions (mm) | Lead Count (#) |
|---|---|---|
| TOLT | 9.90 x 15.00 x 2.30 | 16 |
アプリケーション
- 小型トラクション（2輪車、3輪車）
- 72V〜96Vバッテリシステムとモータ駆動
- オンボード充電
- 充電ステーション
- 低電圧DC/DC
| 型名 | 状態 | サンプル | 在庫 | RoHS | パッケージ | 参考価格（米ドル） | Lead Count (#) | Carrier Type | Moisture Sensitivity Level (MSL) | Pb (Lead) Free |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RBA200N15YAPF-6UA03#KB0 | Active | Available | 在庫あり | RoHS:EN RoHS:JA | TOLT | 1ku | $3.517 | 16# | Embossed Tape | 1 | Yes |
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- ガイド英語PDF 988 KB R07ZZ0016EJ0100 Rev.1.00 2025年12月03日The diagrams in this document show the recommended mounting pad layout dimensions for Renesas Power MOSFETs. In actual PCB design, optimization should consider mounting density, mountability, dimensional tolerances, and other relevant factors.
- ホワイトペーパー英語PDF 4.45 MB R16WP0011EU0100 Rev.1.00 2025年11月04日High-power, high-efficiency systems such as electric motor drives and battery management systems continue to see rapid adoption and increasing power demands. To address these requirements, lower on-resistance and improved switching performance are needed. This paper presents an advanced split-gate trench process and next-generation MOSFETs with a 30% reduction in specific on-resistance to meet these needs.
- データシート英語RBA200N15YAPF-6UA03 DatasheetRECOMMENDEDPDF 238 KB R07DS1629EJ0100 Rev.1.00 2025年9月19日The RBA200N15YAPF-6UA03 N-channel power MOSFET features REXFET-1 split-gate technology and is available in a TOLT package. This package features top-side cooling for ultra-compact and optimal thermal performance. Renesas' split-gate technology is well-suited for applications that demand low RDS(on) and high switching performance in high-power, high-frequency environments.
- アプリケーションノート英語PDF 722 KB R07AN0040EJ0100 Rev.1.00 2024年11月13日AI生成コンテンツ: 48V automotive electrical systems enhance power capacity and efficiency by reducing current and cable size, enabling lighter and more compact vehicle designs. Renesas develops the REXFET-1 series MOSFETs with advanced wafer and package technologies, achieving ultra-low ON-resistance and high reliability for middle-voltage applications. The TOLL and TOLG packages optimize thermal performance, EMI behavior, and space, supporting up to 300A current. These MOSFETs meet automotive standards, improve switching efficiency, and reduce heat dissipation, facilitating the demands of electric and hybrid vehicles' powertrains and auxiliary systems.
- アプリケーションノート日本語AI生成コンテンツ: パワーMOSFETの並列接続では、素子間の電流バランスを確保することが重要である。導通時にはRDS(on)や配線抵抗の差が電流アンバランスを引き起こし、スイッチング時にはVGS(th)の差や寄生インダクタンスが影響する。同一ロットの素子を使用し、対称的な基板レイアウトを設計することで問題を軽減できる。アバランシェ動作は素子破壊の原因となるため避けるべきである。並列接続では寄生発振が起こりやすく、ゲート抵抗の追加で抑制可能である。適切な設計と素子選定が信頼性向上に寄与する。
- アプリケーションノート日本語AI生成コンテンツ: 本資料は、MOSFETの絶対最大定格および電気的特性を25℃で説明しています。ドレイン・ソース電圧、ゲート・ソース電圧、ドレイン電流、アバランシェエネルギーなどの主要パラメータを定義し、これらの範囲内での使用を強調しています。電気的特性では、破壊電圧、しきい値電圧、オン抵抗、スイッチング時間などを詳細に解説しています。また、ケース温度に伴う許容チャネル損失と、安全動作領域（SOA）の5つの制限要因についても説明しています。
- アプリケーションノート日本語AI生成コンテンツ: この部分では、半導体デバイスのパッケージ選定について説明し、金属・セラミック・低融点ガラスの気密封止形とプラスチック封止形に分類しています。プラスチック封止形は信頼性が向上し、自動車や電子機器で広く使われています。面実装パッケージは小型・薄型・高密度実装が可能です。機械的取り扱いではリード成形や切断、プリント基板実装時の応力防止が重要です。ハンダ付けは低温短時間で行い、ロジン系フラックスと適切なアース付きこての使用を推奨しています。
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推奨ドキュメント (2)
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データシート (1)
- ガイド英語PDF 988 KB R07ZZ0016EJ0100 Rev.1.00 2025年12月03日The diagrams in this document show the recommended mounting pad layout dimensions for Renesas Power MOSFETs. In actual PCB design, optimization should consider mounting density, mountability, dimensional tolerances, and other relevant factors.
マニュアル、ガイド (2)
- アプリケーションノート英語PDF 599 KB R07AN0052EJ0100 Rev.1.00 2026年5月27日REXFET PLECS models enable accurate simulation of power MOSFET behavior, including electrical and thermal characteristics. The model integrates channel and body diode behavior, supports configurable simulation parameters, and provides probe functions for switching, conduction, and temperature analysis. This application note outlines installation, library integration, model configuration, and usage considerations to optimize simulation results.関連ファイル：
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- アプリケーションノート英語PDF 936 KB R07AN0050EJ0100 Rev.1.00 2025年12月03日Measurement frequency and the influence of parasitic inductance are crucial in capacitance measurements for Power MOSFETs. Split-gate structures, with their low Crss and higher Ciss, face challenges from parasitic inductance, making high-frequency measurements difficult. In contrast, standard-gate trench structures allow relatively accurate results. The influence of parasitic inductance in actual measurements is examined from various perspectives.
- ホワイトペーパー英語PDF 4.45 MB R16WP0011EU0100 Rev.1.00 2025年11月04日High-power, high-efficiency systems such as electric motor drives and battery management systems continue to see rapid adoption and increasing power demands. To address these requirements, lower on-resistance and improved switching performance are needed. This paper presents an advanced split-gate trench process and next-generation MOSFETs with a 30% reduction in specific on-resistance to meet these needs.
アプリケーションノート、ホワイトペーパー (9)
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2025年10月29日
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