特長
- VDSS = 150V
- 標準駆動電圧対応：VGS(th) = 2.2V～3.7V
- 超低オン抵抗：RDS(on) = 3.4mΩ max.
- ID(DC) = 200A
- 低入力容量
- 低熱抵抗
- 100%アバランシェテスト
- AEC-Q101 準拠
- 生産部品承認プロセス（PPAP）対応可能
- 鉛フリー端子めっき:RoHS適合
- MSL1(IPC/JEDEC J-STD-020)
TOLL Outline
説明
RBA200N15YANS-3UA03 NチャネルパワーMOSFETは、REXFET-1スプリットゲート技術を適用したTOLLパッケージの製品です。 TOLLパッケージは小型でリードレスな設計に加え、ウェッタブルフランク構造を採用しており、熱性能の向上、信頼性の向上、実装の容易さを実現しています。
RenesasのREXFET-1スプリットゲート技術は、低RDS(on)と高いスイッチング性能を備え、高出力・高周波アプリケーションに最適です。
パラメータ
| 属性 | 値 |
|---|---|
| Qualification Level | Automotive |
| Nch/Pch | Nch |
| Channels (#) | 1 |
| Standard Pkg. Type | TOLL |
| Gate Level | Standard |
| VDSS (Max) (V) | 150 |
| ID (A) | 200 |
| RDS (ON) (Max) @10V (mohm) | 3.4 |
| Pch (W) | 366 |
| Ciss (Typical) (pF) | 6200 |
| Qg typ (nC) | 86 |
| Series Name | REXFET-1 |
パッケージオプション
| Pkg. Type | Pkg. Dimensions (mm) | Lead Count (#) |
|---|---|---|
| TOLL | 9.90 x 11.68 x 2.30 | 8 |
アプリケーション
- 72V〜96Vバッテリシステムとモータ駆動
- 小型トラクション（二輪車、三輪車）
- オンボードチャージャー(OBC)
- 充電ステーション
- 低電圧DC/DC
| 型名 | 状態 | サンプル | 在庫 | RoHS | パッケージ | 参考価格（米ドル） | Lead Count (#) | Carrier Type | Moisture Sensitivity Level (MSL) | Pb (Lead) Free |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RBA200N15YANS-3UA03#GB0 | Active | Available | 在庫あり | RoHS:EN RoHS:JA | TOLL | 1ku | $3.364 | 8# | Embossed Tape | 1 | Yes |
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- アプリケーションノート英語PDF 596 KB R07AN0051EJ0100 Rev.1.00 2026年4月27日Compares the thermal performance of automotive power MOSFETs in the TOLL (TO-Leadless) package and its derivatives, including the TOLT (TO-Leaded Top-side Cooling) package. The information presented in this document is intended to serve as a comprehensive guideline for designing high-power automotive systems.
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- ガイド英語PDF 988 KB R07ZZ0016EJ0100 Rev.1.00 2025年12月03日The diagrams in this document show the recommended mounting pad layout dimensions for Renesas Power MOSFETs. In actual PCB design, optimization should consider mounting density, mountability, dimensional tolerances, and other relevant factors.
- ホワイトペーパー英語PDF 4.45 MB R16WP0011EU0100 Rev.1.00 2025年11月04日High-power, high-efficiency systems such as electric motor drives and battery management systems continue to see rapid adoption and increasing power demands. To address these requirements, lower on-resistance and improved switching performance are needed. This paper presents an advanced split-gate trench process and next-generation MOSFETs with a 30% reduction in specific on-resistance to meet these needs.
- データシート英語RBA200N15YANS-3UA03 DatasheetRECOMMENDEDPDF 185 KB R07DS1628EJ0100 Rev.1.00 2025年9月19日The RBA200N15YANS-3UA03 N-channel power MOSFET features REXFET-1 split-gate technology and is available in a TOLL package. This package features top-side cooling for ultra-compact and optimal thermal performance. Renesas' split-gate technology is well-suited for applications that demand low RDS(on) and high switching performance in high-power, high-frequency environments.
- アプリケーションノート英語PDF 5.44 MB 2024年11月13日AI生成コンテンツ: The TOLL 48V Power Line Evaluation Board enables precise control of 3-phase BLDC motors up to 4000 rpm, supporting input voltages from 12V to 48V and delivering up to 700W power with a maximum current of 70A. It integrates a power board with TOLL MOSFETs and a controller board based on the RL78/F14 microcontroller. Key features include overcurrent protection per phase, real-time temperature monitoring with overtemperature protection, and multiple error handling functions such as overvoltage, overspeed, motor timeout, and hall sensor errors. The board includes a heatsink for thermal management and supports testing motor control functions with detailed hardware specifications and firmware control methods. The package includes schematic diagrams, PCB layouts, bill of materials, and measurement results.
- アプリケーションノート英語PDF 722 KB R07AN0040EJ0100 Rev.1.00 2024年11月13日AI生成コンテンツ: 48V automotive electrical systems enhance power capacity and efficiency by reducing current and cable size, enabling lighter and more compact vehicle designs. Renesas develops the REXFET-1 series MOSFETs with advanced wafer and package technologies, achieving ultra-low ON-resistance and high reliability for middle-voltage applications. The TOLL and TOLG packages optimize thermal performance, EMI behavior, and space, supporting up to 300A current. These MOSFETs meet automotive standards, improve switching efficiency, and reduce heat dissipation, facilitating the demands of electric and hybrid vehicles' powertrains and auxiliary systems.
- アプリケーションノート日本語AI生成コンテンツ: パワーMOSFETの並列接続では、素子間の電流バランスを確保することが重要である。導通時にはRDS(on)や配線抵抗の差が電流アンバランスを引き起こし、スイッチング時にはVGS(th)の差や寄生インダクタンスが影響する。同一ロットの素子を使用し、対称的な基板レイアウトを設計することで問題を軽減できる。アバランシェ動作は素子破壊の原因となるため避けるべきである。並列接続では寄生発振が起こりやすく、ゲート抵抗の追加で抑制可能である。適切な設計と素子選定が信頼性向上に寄与する。
- アプリケーションノート日本語AI生成コンテンツ: 本資料は、MOSFETの絶対最大定格および電気的特性を25℃で説明しています。ドレイン・ソース電圧、ゲート・ソース電圧、ドレイン電流、アバランシェエネルギーなどの主要パラメータを定義し、これらの範囲内での使用を強調しています。電気的特性では、破壊電圧、しきい値電圧、オン抵抗、スイッチング時間などを詳細に解説しています。また、ケース温度に伴う許容チャネル損失と、安全動作領域（SOA）の5つの制限要因についても説明しています。
- データシート英語RBA200N15YANS-3UA03 DatasheetRECOMMENDEDPDF 185 KB R07DS1628EJ0100 Rev.1.00 2025年9月19日The RBA200N15YANS-3UA03 N-channel power MOSFET features REXFET-1 split-gate technology and is available in a TOLL package. This package features top-side cooling for ultra-compact and optimal thermal performance. Renesas' split-gate technology is well-suited for applications that demand low RDS(on) and high switching performance in high-power, high-frequency environments.
- ホワイトペーパー英語PDF 4.45 MB R16WP0011EU0100 Rev.1.00 2025年11月04日High-power, high-efficiency systems such as electric motor drives and battery management systems continue to see rapid adoption and increasing power demands. To address these requirements, lower on-resistance and improved switching performance are needed. This paper presents an advanced split-gate trench process and next-generation MOSFETs with a 30% reduction in specific on-resistance to meet these needs.
推奨ドキュメント (2)
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データシート (1)
- ガイド英語PDF 988 KB R07ZZ0016EJ0100 Rev.1.00 2025年12月03日The diagrams in this document show the recommended mounting pad layout dimensions for Renesas Power MOSFETs. In actual PCB design, optimization should consider mounting density, mountability, dimensional tolerances, and other relevant factors.
マニュアル、ガイド (2)
- アプリケーションノート英語PDF 599 KB R07AN0052EJ0100 Rev.1.00 2026年5月27日REXFET PLECS models enable accurate simulation of power MOSFET behavior, including electrical and thermal characteristics. The model integrates channel and body diode behavior, supports configurable simulation parameters, and provides probe functions for switching, conduction, and temperature analysis. This application note outlines installation, library integration, model configuration, and usage considerations to optimize simulation results.関連ファイル：
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- アプリケーションノート英語PDF 936 KB R07AN0050EJ0100 Rev.1.00 2025年12月03日Measurement frequency and the influence of parasitic inductance are crucial in capacitance measurements for Power MOSFETs. Split-gate structures, with their low Crss and higher Ciss, face challenges from parasitic inductance, making high-frequency measurements difficult. In contrast, standard-gate trench structures allow relatively accurate results. The influence of parasitic inductance in actual measurements is examined from various perspectives.
- ホワイトペーパー英語PDF 4.45 MB R16WP0011EU0100 Rev.1.00 2025年11月04日High-power, high-efficiency systems such as electric motor drives and battery management systems continue to see rapid adoption and increasing power demands. To address these requirements, lower on-resistance and improved switching performance are needed. This paper presents an advanced split-gate trench process and next-generation MOSFETs with a 30% reduction in specific on-resistance to meet these needs.
アプリケーションノート、ホワイトペーパー (10)
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2025年10月29日
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