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特長

  • VDSS = 150V
  • 標準駆動電圧対応:VGS(th) = 2.2~3.7V
  • 超低オン抵抗:RDS(on) = 3.9mΩ以下
  • ID = 190A
  • 低入力容量
  • 低熱抵抗
  • パッケージ:TOLL
  • 100%アバランチテスト済み
  • AEC-Q101 準拠
  • 生産部品承認プロセス(PPAP)対応可能
  • 鉛フリー鉛めっき:RoHS対応
  • IPC/JEDEC J-STD-020によるモイスチャーレベル1

説明

RBA190N15YANS-3UA04 NチャネルパワーMOSFETは、REXFET-1スプリットゲート技術を採用し、TOLLパッケージで提供されます。 TOLLパッケージは、超小型でリードレス設計を特徴とし、ウェッタブルフランクにより、熱性能の向上、信頼性の向上、組み立ての容易さを実現しています。

Renesasのスプリットゲートテクノロジーは、低RDS(on)とスイッチング能力を備え、高出力・高周波アプリケーションに最適です。

パラメータ

属性
Qualification Level Automotive
Nch/Pch Nch
Channels (#) 1
Standard Pkg. Type TOLL
VDSS (Max) (V) 150
ID (A) 190
RDS (ON) (Max) @10V or 8V (mohm) 3.9
Pch (W) 319
Ciss (Typical) (pF) 5500
Qg typ (nC) 76
Series Name REXFET-1

パッケージオプション

Pkg. Type Pkg. Dimensions (mm) Lead Count (#)
TOLL 9.90 x 11.68 x 2.30 9

アプリケーション

  • 小型トラクション(2輪車、3輪車)
  • 72V〜96Vバッテリシステムとモータ駆動
  • オンボード充電
  • 充電ステーション
  • 低電圧DC/DC

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2025年10月29日
REXFET MOSFETでRDS(on)を低減