特長
- VDSS = 100V
- 標準駆動電圧対応 :VGS(th) = 2.0V〜4.0V
- 超低オン抵抗：RDS(on) = 1.9mΩ max.
- ID(DC) = 230A
- 低入力容量
- 低熱抵抗
- 100%アバランシェテスト
- AEC-Q101 準拠
- 生産部品承認プロセス（PPAP）対応可能
- 鉛フリー端子めっき:RoHS適合
- MSL1(IPC/JEDEC J-STD-020)
説明
RBA019N10R1SBQ4 NチャネルパワーMOSFETは、REXFET-1スプリットゲート技術を適用したTOLLパッケージの製品です。 TOLLパッケージは小型でリードレスな設計に加え、ウェッタブルフランク構造を採用しており、熱性能の向上、信頼性の向上、実装の容易さを実現しています。
RenesasのREXFET-1スプリットゲート技術は、低RDS(on)と高いスイッチング性能を備え、高出力・高周波アプリケーションに最適です。
パラメータ
| 属性 | 値 |
|---|---|
| Qualification Level | Automotive |
| Nch/Pch | Nch |
| Channels (#) | 1 |
| Standard Pkg. Type | TOLL |
| Gate Level | Standard |
| VDSS (Max) (V) | 100 |
| ID (A) | 230 |
| RDS (ON) (Max) @10V (mohm) | 1.9 |
| Pch (W) | 405 |
| Ciss (Typical) (pF) | 11000 |
| Qg typ (nC) | 140 |
| Series Name | REXFET-1 |
パッケージオプション
| Pkg. Type | Pkg. Dimensions (mm) | Lead Count (#) |
|---|---|---|
| TOLL | 15 x 9.9 x 2.3 | 8 |
アプリケーション
- 48Vバッテリシステムとモータ駆動
- 小型トラクション（二輪車、三輪車）
- オンボードチャージャー(OBC)
- 充電ステーション
- 低電圧DC/DC