特長
- VDSS = 100V
- 標準駆動電圧対応：VGS(th) = 2.0~4.0V
- 超低オン抵抗：RDS(on) = 1.9mΩ以下
- ID = 230A
- 低入力容量
- 低熱抵抗
- 100%アバランシェテスト済み
- AEC-Q101 準拠
- 生産部品承認プロセス（PPAP）対応可能
- 鉛フリー鉛めっき:RoHS対応
- IPC/JEDEC J-STD-020によるモイスチャーレベル1
説明
RBA019N10R1SBPW NチャネルパワーMOSFETは、REXFET-1スプリットゲート技術を採用し、TOLTパッケージで提供されます。 TOLTパッケージは、超小型で最適な熱性能を実現するトップサイド冷却を採用しています。
Renesasのスプリットゲートテクノロジーは、低RDS(on)とスイッチング能力を備え、高出力・高周波アプリケーションに最適です。
パラメータ
| 属性 | 値 |
|---|---|
| Qualification Level | Automotive |
| Nch/Pch | Nch |
| Channels (#) | 1 |
| Standard Pkg. Type | TOLT |
| Gate Level | Standard |
| VDSS (Max) (V) | 100 |
| ID (A) | 230 |
| RDS (ON) (Max) @10V (mohm) | 1.9 |
| Pch (W) | 405 |
| Ciss (Typical) (pF) | 11000 |
| Qg typ (nC) | 140 |
| Series Name | REXFET-1 |
パッケージオプション
| Pkg. Type | Pkg. Dimensions (mm) | Lead Count (#) |
|---|---|---|
| TOLT | 9.90 x 15.00 x 2.30 | 16 |
アプリケーション
- 小型トラクション(2輪、3輪車)
- 48Vバッテリシステムとモータ駆動
- オンボード充電
- 充電ステーション
- 低電圧DC/DC