特長
- VDSS = 100V
- 標準駆動電圧対応 :VGS(th) = 2.0V〜4.0V
- 超低オン抵抗：RDS(on) = 1.5mΩ max.
- ID(DC) = 340A
- 低入力容量
- 低熱抵抗
- 100%アバランシェテスト
- AEC-Q101 準拠
- 生産部品承認プロセス（PPAP）対応可能
- 鉛フリー端子めっき:RoHS適合
- MSL1(IPC/JEDEC J-STD-020)
説明
RBA015N10R1SBPW NチャネルパワーMOSFETは、REXFET-1スプリットゲート技術を適用したTOLTパッケージの製品です。 TOLTパッケージはガルウイングタイプのリードで熱応力に強く、上面冷却構造によってシステムの放熱性向上に貢献します。
ルネサスのREXFET-1スプリットゲート技術は、低RDS(on)と高いスイッチング性能を備え、高出力・高周波アプリケーションに最適です。
パラメータ
| 属性 | 値 |
|---|---|
| Qualification Level | Automotive |
| Nch/Pch | Nch |
| Channels (#) | 1 |
| Standard Pkg. Type | TOLT |
| Gate Level | Standard |
| VDSS (Max) (V) | 100 |
| ID (A) | 340 |
| RDS (ON) (Max) @10V (mohm) | 1.5 |
| Pch (W) | 468 |
| Ciss (Typical) (pF) | 13000 |
| Qg typ (nC) | 170 |
| Series Name | REXFET-1 |
パッケージオプション
| Pkg. Type | Pkg. Dimensions (mm) | Lead Count (#) |
|---|---|---|
| TOLT | 15 x 9.9 x 2.3 | 16 |
アプリケーション
- 48Vバッテリシステムとモータ駆動
- 小型トラクション（二輪車、三輪車）
- オンボードチャージャー(OBC)
- 充電ステーション
- 低電圧DC/DC