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ルネサス エレクトロニクス株式会社 (Renesas Electronics Corporation) - 6月はプライド月間として、LGBTQ+の権利や文化、コミュニティについて啓発する世界的な活動月間です

特長

  • Single 5.0V supply: 5.0V ± 10%
  • Access time: 12ns (max)
  • Completely static memory: No clock or timing strobe required
  • Equal access and cycle times
  • Directly TTL compatible: All inputs and outputs
  • Operating current: 130mA (max)
  • TTL standby current: 40mA (max)
  • CMOS standby current: 5mA (max)
  • Center VCC and VSS type pinout
  • Temperature range: −40°C to +85°C

説明

The R1RP0408DI Series is a 4Mbit high-speed static RAM organized as 512-kword × 8-bit. It realizes high-speed access time by employing the CMOS process (6-transistor memory cell) and high-speed circuit design technology. It is most appropriate for applications that require high-speed, high-density memory and a wide bit width configuration, such as cache and buffer memory in systems. It is packaged in a 400-mil 36-pin plastic SOJ.

Part NumberStatusSamplesStockRoHSPackageBudgetary Price (USD)Carrier TypeMoisture Sensitivity Level (MSL)Country of AssemblyCountry of Wafer Fabrication
R1RP0408DGE-2PI#B0ObsoleteN/AIn StockRoHS:EN
RoHS:JA
SOJTube2
R1RP0408DGE-2PI#B1Last Time BuyN/AIn StockContactSOJ1ku | $10.42Tube3TAIWANJAPAN
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