特長
- 2.7V～3.6V 単一電源
- 低スタンバイ電源電流 1µA（Vcc=3.0V 標準値）
- 外部クロック及びリフレッシュ操作不要
- 入出力ともTTL直結可能
- CS1#, CS2信号によりメモリ容量の拡張可能
- データ端子は入力、出力が共通
- 出力はスリーステートでORタイが可能
- OE#入力によるI/Oバスでのデータの競合防止可能
説明
R1LV0216BSBは、シリコンゲート0.15µm CMOSプロセス技術を用いた131,072語 × 16ビット構成を持ち、単一電源で動作する非同期式のスタティクRAMです。メモリセルにTFT技術を用い、高密度かつ低消費電力を実現したデバイスです。したがってR1LV0216BSBは、低スタンバイ電流かつ低動作電源電流という特性を有していますので、バッテリ駆動を行なうシステムに最適です。
R1LV0216BSBは、高密度実装可能な44ピンの薄型パッケージ（TSOP）に収納されています。
パラメータ
| 属性 | 値 |
|---|---|
| Memory Density | 2M |
| Organization | 128K x 16 |
| Access Time (ns) | 55 |
| Supply Voltage (V) | 2.7 - 3.6 |
| Temp. Range (°C) | -40 to +85 |
パッケージオプション
| Pkg. Type | Pkg. Dimensions (mm) | Lead Count (#) |
|---|---|---|
| TSOP(44) | 18 x 10 x 1.2 | 44 |