パッケージ情報
| CADモデル: | View CAD Model |
| Pkg. Type: | TSOP(1) |
| Pkg. Code: | pkg_465 |
| Lead Count (#): | 32 |
| Pkg. Dimensions (mm): | 11.8 x 8 x 1.2 |
| Pitch (mm): |
環境及び輸出分類情報
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 |
| ECCN (US) | 3A991.b.2.a |
| HTS (US) | 8542.32.0041 |
| RoHS (R1LV0108ESA-5SI#BX) | 英語日本語 |
| Pb (Lead) Free | Yes |
製品スペック
| Carrier Type | Tray |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 |
| Access Time (ns) | 55 |
| Density (Kb) | 1000 |
| Lead Compliant | No |
| Lead Count (#) | 32 |
| Length (mm) | 12 |
| MOQ | 1 |
| Memory Capacity (kbit) | 1000 |
| Memory Density | 1M |
| Organization | 128K x 8 |
| Organization (bit) | x 8 |
| Organization (kword) | 128 |
| Pb (Lead) Free | Yes |
| Pkg. Dimensions (mm) | 12 x 8 x 1.2 |
| Pkg. Type | TSOP(1) |
| Remarks | Dual Chip Select (CS1#, CS2) |
| Replacement Product | R1LV0108ESA-5SI#B1 |
| Supply Voltage (V) | 2.7 - 3.6 |
| Tape & Reel | No |
| Temp. Range (°C) | -40 to +85 |
| Thickness (mm) | 1.2 |
| Width (mm) | 8 |
R1LV0108E に関するリソース
説明
R1LV0108Eシリーズは、シリコンゲート0.15µm CMOSプロセス技術を用いた131,072 語 ×8 ビット構成を持ち、単一電源で動作する非同期式のスタティクRAMです。メモリセルにTFT技術を用い、高密度かつ低消費電力を実現したデバイスです。したがってR1LV0108E シリーズは、低スタンバイ電流かつ低動作電源電流という特性を有していますので、バッテリ駆動を行なうシステムに最適です。
パッケージの種類は、高密度実装可能な32ピンの薄型パッケージ（SOP，TSOP，sTSOP）が用意されています。