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1Mb 低消費電力SRAM (128k word x 8bit)

パッケージ情報

CADモデル:View CAD Model
Pkg. Type:TSOP(1)
Pkg. Code:pkg_11617
Lead Count (#):32
Pkg. Dimensions (mm):11.8 x 8 x 1.2
Pitch (mm):0.5

環境及び輸出分類情報

Moisture Sensitivity Level (MSL)3
ECCN (US)EAR99
HTS (US)8542.32.0041
RoHS (R1LV0108ESA-5SI#B1)英語日本語
Pb (Lead) FreeYes

製品スペック

Carrier TypeTray
Moisture Sensitivity Level (MSL)3
Country of AssemblyTAIWAN
Country of Wafer FabricationJAPAN
Access Time (ns)55
Density (Kb)1000
Lead CompliantYes
Lead Count (#)32
Length (mm)12
Longevity2032 12月
MOQ1
Memory Capacity (kbit)1000
Memory Density1
Organization128K x 8
Organization (bit)x 8
Organization (kword)128
Pb (Lead) FreeYes
Pkg. Dimensions (mm)12 x 8 x 1.2
Pkg. TypesTSOP(32)
Price (USD)$2.46719
RemarksDual Chip Select (CS1#, CS2)
Replacement Remarkconsolidation of part-names and/or assembly material change
Supply Voltage (V)2.7 - 3.6
Tape & ReelNo
Temp. Range (°C)-40 to +85
Thickness (mm)1.2
Width (mm)8

説明

R1LV0108Eシリーズは、シリコンゲート0.15µm CMOSプロセス技術を用いた131,072 語 ×8 ビット構成を持ち、単一電源で動作する非同期式のスタティクRAMです。メモリセルにTFT技術を用い、高密度かつ低消費電力を実現したデバイスです。したがってR1LV0108E シリーズは、低スタンバイ電流かつ低動作電源電流という特性を有していますので、バッテリ駆動を行なうシステムに最適です。

パッケージの種類は、高密度実装可能な32ピンの薄型パッケージ(SOP,TSOP,sTSOP)が用意されています。