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2.5 A 出力,高CMR, IGBT, MOS FET ゲート駆動用8 ピンSDIP フォトカプラ 沿面距離15 mm

パッケージ情報

CADモデル:View CAD Model
Pkg. Type:
Pkg. Code:
Lead Count (#):
Pkg. Dimensions (mm):
Pitch (mm):

環境及び輸出分類情報

Moisture Sensitivity Level (MSL)1
Pb (Lead) FreeYes
ECCN (US)EAR99
HTS (US)8541.49.8000
RoHS (PS9905-Y-V-AX)英語日本語

製品スペック

Moisture Sensitivity Level (MSL)1
Pb (Lead) FreeYes
Country of AssemblyJAPAN
Country of Wafer FabricationJAPAN
Breakdown Voltage (BV) (kV rms)7.5
CMTI min. (kV/µs)25
Channels (#)1
Creepage Distance (mm)15
DC IFLH max. (mA)6
IFLH (Max) (mA)6
IOL/IOH (Peak) (A)2.5
Isolation Voltage (Vrms)7500
Lead CompliantYes
Longevity2030 12月
MOQ10
Peak Output Current IPK (A)2.5
Price (USD)$12.358
RemarksVDE
SW PDD max. (ns)100
SW PWD max. (ns)75
SW tPLH, tPHL max. (ns)150
Safety Standard CSA (CAN/CSA C22.2 62368-1)Approved
Safety Standard UL (UL1577)Approved
Safety Standard VDE (EN IEC 60747-5-5)Approved
Supply Voltage (V)15 - 30
Tape & ReelNo
Target applicationsIGBT, Power MOSFET Gate Driver, Industrial inverter, IH(Induction Heating), AC Servo, PDP, Uninterruptible Power Supply (UPS), Solar inverter
VCC-VEE (Max) (V)35
tPHL (Max) (μs)0.15
tPLH (Max) (μs)0.15

説明

PS9905 は,入力側にAlGaAs 発光ダイオードを使用し,出力側にフォトダイオード,信号処理回路,高速大電流回路を同一チップ上に構成した受光IC を用いた高速フォトカプラです。高耐ノイズ (高CMR),大電流,高速スイッチングを実現し,IGBT およびパワーMOS FET のゲート駆動用に最適です。