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ルネサス エレクトロニクス株式会社 (Renesas Electronics Corporation)
2.5 A 出力,高 CMR, IGBT, MOS FET ゲート駆動用 5 ピン SOP(LSO5, 8 ㎜沿面)フォトカプラ

パッケージ情報

CADモデル:View CAD Model
Pkg. Type:
Pkg. Code:
Lead Count (#):
Pkg. Dimensions (mm):
Pitch (mm):

環境及び輸出分類情報

Moisture Sensitivity Level (MSL)1
Pb (Lead) FreeYes
ECCN (US)EAR99
HTS (US)8541.49.8000
RoHS (PS9031-Y-F3-AX)英語日本語

製品スペック

Moisture Sensitivity Level (MSL)1
Pb (Lead) FreeYes
Country of AssemblyJAPAN
Country of Wafer FabricationJAPAN
Breakdown Voltage (BV) (kV rms)5
CMTI min. (kV/µs)50
Channels (#)1
Creepage Distance (mm)8
DC IFLH max. (mA)4
IFLH (Max) (mA)4
IOL/IOH (Peak) (A)2.5
Isolation Voltage (Vrms)5000
Lead CompliantYes
Longevity2031 12月
MOQ3000
Peak Output Current IPK (A)2.5
Price (USD)$1.08992
SW PDD max. (ns)90
SW PWD max. (ns)75
SW tPLH, tPHL max. (ns)175
Safety Standard CSA (CAN/CSA C22.2 62368-1)Approved
Safety Standard UL (UL1577)Approved
Supply Voltage (V)15 - 30
Tape & ReelNo
Target applicationsIGBT, Power MOSFET Gate Driver, Industrial inverter, IH(Induction Heating), AC Servo, PDP, Uninterruptible Power Supply (UPS), Solar inverter
VCC-VEE (Max) (V)35
tPHL (Max) (μs)0.175
tPLH (Max) (μs)0.175
tf (Typical) (µs)0.04

説明

PS9031 は,入力側に GaAlAs 発光ダイオードを使用し,出力側にフォトダイオード,信号処理回路,高速大電流回路を同一チップ上に構成した受光 IC を用いた高速フォトカプラです。
高耐ノイズ(高 CMR),大電流,高速スイッチングを実現し,IGBT およびパワーMOS FET のゲート駆動用に最適です。