メインコンテンツに移動

概要

説明

The NP36P06KDG is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications.

特長

  • Super low on-state resistance RDS(on)1 = 29.5 mΩ MAX. (VGS = −10 V, ID = −18 A) RDS(on)2 = 37.5 mΩ MAX. (VGS = −4.5 V, ID = −18 A)
  • Low input capacitance Ciss = 3100 pF TYP.

製品比較

アプリケーション

ドキュメント

設計・開発

モデル

ECADモデル

SamacSysの回路図シンボル、PCBフットプリント、および3D CADモデルは、製品オプションテーブルのCADモデルリンクをクリックすることで参照できます。シンボルまたはモデルが対応していない場合は、SamacSysに直接リクエスト可能です。

Diagram of ECAD Models

製品選択

適用されたフィルター