概要
説明
このISL73846Mは、同期整流の耐放射線ダブルエンドPWMコントローラで、電圧モードと電流モードの両方の制御構成の高スイッチング周波数電源向けに設計されています。
制御回路とドライバ出力段の独立した電源レールを特長としています。 ドライバ段の電源は4.5Vから20Vまで設定可能で、GaN FETまたはMOSFETの直接駆動が可能で、設計の柔軟性を最大限に高めることができます。
このISL73846Mは、カレントシェアの並列運転と、内部クロックまたは外部クロックの周波数同期をサポートします。 このデバイスは、追加のICなしで2フェーズ動作を可能にし、ISL74420Mを使用してより高いフェーズ数を実現できます。
設計の柔軟性を高めるために、このISL73846Mにより、内部エラー・アンプを利用したり、外部エラー・アンプで使用するためのバッファとして構成したりして、カスタム・フィードバック・ループを実現できます。
このISL73846Mは、64ピンEP-TQFPパッケージで提供され、-55°C〜+125°Cの温度範囲で完全に仕様が規定されています。
特長
- 柔軟な電源オプション
- VDD 電源範囲:4.5V〜19V
- 独立したドライバ電源:4.5V〜19V
- 高度な制御と保護
- プログラム可能なスイッチング周波数:20kHz〜2MHz
- 内部または外部クロック同期をサポート
- 内部周波数精度:±5%
- 外部エラーアンプをサポートする8MHz GBWPエラーアンプ
- プログラム可能な低電圧ロックアウト(UVLO)
- 選択可能な最大デューティサイクルモード:
- 50% (位相がずれている)
- 100%(補完)
- 100%(同相)
- 放射線保証と高信頼性設計
- ルネサスのRad Tolerant ScreeningおよびQCI Flow(R34TB0004EU)に適合
- TID放射線ロット受入試験(RLAT)(LDR:≤10mrad(Si)/s)
- ISL73846M30NEZ:30krad(Si)
- ISL73846M50NEZ:50krad(Si)
- Single Event Effects(SEE)のパフォーマンス
- VDD = 26.2V、PVDD = 19V、46MeV•cm²/mg の場合、DSEEなし
- SEFI< 2.5μm²
- VOUT で<26MeV•cm²/mgに設定
製品比較
アプリケーション
ドキュメント
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分類 | タイトル | 日時 |
データシート | PDF 3.11 MB | |
技術概要 | PDF 356 KB | |
アプリケーションノート | PDF 224 KB | |
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