特長
- This Circuit is Processed in Accordance to MIL-STD-883 and is Fully Conformant Under the Provisions of Paragraph 1.2.1.
- Low Power Standby 50µW Max
- Low Power Operation 20mW/MHz Max
- Fast Access Time 220ns Max
- Data Retention at 2.0V Min
- TTL Compatible Input/Output
- High Output Drive - 1 TTL Load
- Internal Latched Chip Select
- High Noise Immunity
- On-Chip Address Register
- Latched Outputs
- Three-State Output
説明
The HM-6551/883 is a 256 x 4 static CMOS RAM fabricated using self-aligned silicon gate technology. Synchronous circuit design techniques are employed to achieve high performance and low power operation. On chip latches are provided for address and data outputs allowing efficient interfacing with microprocessor systems. The data output buffers can be forced to a high impedance state for use in expanded memory arrays. The HM-6551/883 is a fully static RAM and may be maintained in any state for an indefinite period of time. Data retention supply voltage and supply current are guaranteed over temperature.
| Part Number | Status | Samples | Stock | Package | Lead Count (#) | Carrier Type | Moisture Sensitivity Level (MSL) | Pb (Lead) Free | Pb Free Category | MOQ | Temp. Range (°C) | CAGE code |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| HM1-6551B/883 | Obsolete | N/A | Out of Stock | CERDIP | 22# | Tube | Not Applicable | No | Hot Solder Dip | 136 | -55 to +125°C | 34371 |
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- 製品変更通知英語PDF 323 KB PCN15064 2015年12月22日
- 製品変更通知英語PDF 174 KB PCN14017 2014年4月21日
- 製品変更通知英語PDF 151 KB PCN11040 2011年4月07日
- アプリケーションノート英語PDF 224 KB an9654 1999年5月05日AI生成コンテンツ: The document explains the reliability and failure mechanisms of semiconductor parts, focusing on life testing and wearout. It discusses how switching states cause transient current pulses and hot carrier injection, which only occur briefly during switching. Life testing at elevated temperatures accelerates aging to remove infant mortality failures, improving reliability. The failure rate follows a bathtub curve with infant mortality, useful life, and wearout phases, modeled by lognormal and exponential distributions. The Arrhenius equation relates failure rates at different temperatures. Burn-in and life tests reduce early failures without harming intrinsic reliability.
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アプリケーションノート、ホワイトペーパー (1)
- 製品変更通知英語PDF 323 KB PCN15064 2015年12月22日
- 製品変更通知英語PDF 174 KB PCN14017 2014年4月21日
- 製品変更通知英語PDF 151 KB PCN11040 2011年4月07日
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