特長
- Adaptive shoot-through protection (HIP2106A only)
- HI and LI inputs (HIP2105 only)
- 0.4Ω ON-resistance and 4A sink current capability
- Low tri-state hold-off time (20ns) (HIP2106A only)
- Supports 3.3V and 5V HI/LI or PWM input
- Power-On Reset (POR)
- Dual Flat No-Lead (DFN) package
- Compliant to JEDEC PUB95 MO-220 QFN-Quad Flat No Leads - product outline
- Near chip-scale package footprint; improves PCB efficiency and thinner in profile
説明
The HIP2106A is a high frequency MOSFET driver optimized to drive two N-channel power MOSFETs in a synchronous buck converter topology. This driver, combined with Renesas multi-phase buck PWM controllers, forms a complete single-stage core-voltage regulator solution with high-efficiency performance at high switching frequency for advanced microprocessors. The HIP2106A is biased by a single low voltage supply (5V), minimizing driver switching losses in high MOSFET gate capacitance and high switching frequency applications. Each driver is capable of driving a 3nF load with less than 10ns rise/fall time. Bootstrapping of the upper gate driver is implemented using an internal low forward drop diode, reducing implementation cost, complexity, and allowing the use of higher performance, cost effective N-channel MOSFETs. Adaptive shoot-through protection is integrated to prevent both MOSFETs from conducting simultaneously. The HIP2106A features 4A typical sink current for the lower gate driver, enhancing the lower MOSFET gate hold-down capability during PHASE node rising edge, preventing power loss caused by the self turn-on of the lower MOSFET due to the high dV/dt of the switching node. The HIP2106A also features an input that recognizes a high-impedance state, working together with Renesas multi-phase 3. 3V or 5V PWM controllers to prevent negative transients on the controlled output voltage when operation is suspended. This feature eliminates the need for the Schottky diode that may be used in a power system to protect the load from negative output voltage damage.
| Part Number | Status | Samples | Stock | RoHS | Package | Lead Count (#) | Carrier Type | Moisture Sensitivity Level (MSL) | Pb (Lead) Free | Pb Free Category | Temp. Range (°C) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| HIP2106AIRZ | Obsolete | N/A | Out of Stock | RoHS:EN | DFN | 10# | Tube | 3 | Yes | Pb-Free 100% Matte Tin Plate w/Anneal-e3 | -40 to +85°C |
| HIP2106AIRZ-T | Obsolete | N/A | In Stock | RoHS:EN | DFN | 10# | Reel | 3 | Yes | Pb-Free 100% Matte Tin Plate w/Anneal-e3 | -40 to +85°C |
- 製品変更通知英語PDF 326 KB 2021年5月21日
- アプリケーションノート英語PDF 397 KB an1684 2004年1月19日AI生成コンテンツ: The document outlines important legal disclaimers and usage guidelines for semiconductor products. It emphasizes user responsibility for product design and safety, disclaims liability for damages, and clarifies no intellectual property licenses are granted. Products are categorized by quality grades with specific application recommendations. Users must comply with laws, avoid unauthorized modifications, and ensure safe use within specified conditions. Contact details for Renesas Electronics sales offices worldwide are provided.
- アプリケーションノート英語PDF 509 KB an1681 2004年1月19日AI生成コンテンツ: The document explains grounding techniques for PCB layouts using a dual op amp example on a single-layer copper board. It compares three grounding schemes: a center spine ground trace, an outer ground plane, and a split/star ground plane, highlighting the benefits of single-point grounding to minimize noise and antenna effects. It emphasizes following current paths, minimizing loop lengths, and ensuring close forward and return paths to reduce interference. The document also includes disclaimers on product use, quality grades, safety, and legal compliance.
- アプリケーションノート英語PDF 576 KB an1116 2004年1月05日AI生成コンテンツ: The document details various CMOS driver circuits including a self-powered DC stable 100V half bridge driver using EL7972 and EL7501, an IGBT half bridge driver with EL7981, and a self-oscillating IGBT driver operating at 25kHz. It also covers a 40W 12V synchronous step-down regulator using EL7761, a simple undervoltage lockout circuit using zener diodes, and a video sync pulse generator with EL7501. Additionally, it explains a resonant gate driver circuit that boosts gate voltage swing and improves efficiency by using external diodes and inductors.
推奨ドキュメント (1)
データシート (1)
マニュアル、ガイド (1)
- アプリケーションノート英語PDF 397 KB an1684 2004年1月19日AI生成コンテンツ: The document outlines important legal disclaimers and usage guidelines for semiconductor products. It emphasizes user responsibility for product design and safety, disclaims liability for damages, and clarifies no intellectual property licenses are granted. Products are categorized by quality grades with specific application recommendations. Users must comply with laws, avoid unauthorized modifications, and ensure safe use within specified conditions. Contact details for Renesas Electronics sales offices worldwide are provided.
- アプリケーションノート英語PDF 509 KB an1681 2004年1月19日AI生成コンテンツ: The document explains grounding techniques for PCB layouts using a dual op amp example on a single-layer copper board. It compares three grounding schemes: a center spine ground trace, an outer ground plane, and a split/star ground plane, highlighting the benefits of single-point grounding to minimize noise and antenna effects. It emphasizes following current paths, minimizing loop lengths, and ensuring close forward and return paths to reduce interference. The document also includes disclaimers on product use, quality grades, safety, and legal compliance.
- アプリケーションノート英語PDF 576 KB an1116 2004年1月05日AI生成コンテンツ: The document details various CMOS driver circuits including a self-powered DC stable 100V half bridge driver using EL7972 and EL7501, an IGBT half bridge driver with EL7981, and a self-oscillating IGBT driver operating at 25kHz. It also covers a 40W 12V synchronous step-down regulator using EL7761, a simple undervoltage lockout circuit using zener diodes, and a video sync pulse generator with EL7501. Additionally, it explains a resonant gate driver circuit that boosts gate voltage swing and improves efficiency by using external diodes and inductors.
アプリケーションノート、ホワイトペーパー (3)
- 製品変更通知英語PDF 326 KB 2021年5月21日
製品通知(PCN、EOLなど) (1)
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ワイヤレスチャージャーリファレンスデザイン
ワイヤレス充電は、電磁誘導を利用して2つのコイル間で電力を伝送する技術です。 近年ではスマートフォンなどのモバイル機器における一般的な機能の一つとして搭載されています。
本リファレンスデザインでは、RL78/G11の強力なアナログ機能を活用した過電流監視機能や、タイマKBによるPWM出力などの機能を使用しています。 さらに、広い入力電圧範囲と低消費電力を特長とするISL28006(マイクロパワー単方向ハイサイド/ローサイド電流検出アンプ)や、HIP2106A高周波MOSFETドライバの貫通電流(シュートスルー)保護機能により、アプリケーションの安全性と高効率化を実現します... 続きを読む