特長
- 適応型シュートスルー保護機能 (HIP2106Aのみ)
- HIおよびLI入力 (HIP2105のみ)
- 0.4Ωのオン抵抗と4Aのシンク電流能力
- 低トライステートホールドオフ時間(20ns) (HIP2106Aのみ)
- 3.3Vおよび5VのHI/LIまたはPWM入力をサポート
- パワーオンリセット(POR)
- デュアルフラットノーリード(DFN)パッケージ
- JEDEC PUB95 MO-220 QFN-Quad Flat No Leads - product outlineに準拠
- チップスケールに近いパッケージフットプリント、PCB効率の向上と薄型化
説明
HIP2105/HIP2106Aは同期降圧型パワーMOSFETの駆動に最適化された高周波MOSFETドライバです。HIP2105はHI/LI入力、HIP2106AはPWM入力を1つ備えています。これらのドライバとルネサスの多相降圧PWMコントローラを組み合わせることで、先進のマイクロプロセッサ向けに、高いスイッチング周波数で高効率な性能を持つ完全なシングルステージのコア電圧レギュレータ・ソリューションとなります。HIP2105とHIP2106Aは単一の低電圧電源(5V)でバイアスされ、高MOSFETゲート容量および高スイッチング周波数のアプリケーションにおけるドライバのスイッチング損失を最小化します。各ドライバは3nFの負荷を15ns以下の立ち上がり/立ち下がり時間で駆動することが可能です。アッパーゲートドライバのブートストラップは、内部の低順電圧降下ダイオードを使用して実装され、実装コストと複雑さを軽減し、より高性能でコスト効率の良いNチャネルMOSFETの使用を可能にします。HIP2106Aでは、両方のMOSFETが同時に導通しないように、適応型シュートスルー保護が統合されています。HIP2105とHIP2106Aは、下流ゲートドライバに4A(標準)のシンク電流を持ち、PHASEノードの立ち上がり時に下流MOSFETのゲートホールド能力を高め、スイッチングノードの高いdV/dtによる下流MOSFETの自己ターンオンによる電力損失を防止することができます。また、HIP2106Aは、ハイインピーダンス状態を認識する入力を備えており、ルネサスの多相3.0V/5V PWM回路と連動して動作します。3Vまたは5VのPWMコントローラと連携して、動作停止時の制御出力電圧の負の過渡電流を防止します。この機能により、負の出力電圧のダメージから負荷を保護するためにパワーシステムで使用されることがあるショットキーダイオードが不要になります。
| 型名 | 状態 | サンプル | 在庫 | RoHS | パッケージ | Lead Count (#) | Carrier Type | Moisture Sensitivity Level (MSL) | Phase Voltage (Min) | Pitch (mm) | Pkg. Dimensions (mm) | Pb (Lead) Free | Pb Free Category |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| HIP2105FRZ | Obsolete | N/A | 在庫切れ | RoHS:EN | DFN | 10# | Tube | 3 | DC GND - 8V (<20ns) | 0.5mm | 3.0 x 3.0 x 0.90 | Yes | Pb-Free 100% Matte Tin Plate w/Anneal-e3 |
| HIP2105FRZ-T | Obsolete | N/A | 在庫切れ | RoHS:EN | DFN | 10# | Reel | 3 | GND - 0.3VDC GND - 8V (<20ns) | 0.5mm | 3.0 x 3.0 x 0.90 | Yes | Pb-Free 100% Matte Tin Plate w/Anneal-e3 |
| HIP2105IRZ-T | Obsolete | N/A | 在庫切れ | 問合せ | Package | Reel | DC GND - 8V (<20ns) | 0.0 x 0.0 x 0.00 | No |
- アプリケーションノート英語PDF 397 KB an1684 2004年1月19日AI生成コンテンツ: The document outlines important legal disclaimers and usage guidelines for semiconductor products. It emphasizes user responsibility for product design and safety, disclaims liability for damages, and clarifies no intellectual property licenses are granted. Products are categorized by quality grades with specific application recommendations. Users must comply with laws, avoid unauthorized modifications, and ensure safe use within specified conditions. Contact details for Renesas Electronics sales offices worldwide are provided.
- アプリケーションノート英語PDF 509 KB an1681 2004年1月19日AI生成コンテンツ: The document explains grounding techniques for PCB layouts using a dual op amp example on a single-layer copper board. It compares three grounding schemes: a center spine ground trace, an outer ground plane, and a split/star ground plane, highlighting the benefits of single-point grounding to minimize noise and antenna effects. It emphasizes following current paths, minimizing loop lengths, and ensuring close forward and return paths to reduce interference. The document also includes disclaimers on product use, quality grades, safety, and legal compliance.
- アプリケーションノート英語PDF 576 KB an1116 2004年1月05日AI生成コンテンツ: The document details various CMOS driver circuits including a self-powered DC stable 100V half bridge driver using EL7972 and EL7501, an IGBT half bridge driver with EL7981, and a self-oscillating IGBT driver operating at 25kHz. It also covers a 40W 12V synchronous step-down regulator using EL7761, a simple undervoltage lockout circuit using zener diodes, and a video sync pulse generator with EL7501. Additionally, it explains a resonant gate driver circuit that boosts gate voltage swing and improves efficiency by using external diodes and inductors.
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