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ルネサス エレクトロニクス株式会社 (Renesas Electronics Corporation)
8Mビット超低エネルギーシリアルフラッシュメモリ

パッケージ情報

CADモデル:View CAD Model
Pkg. Type:SOICN
Pkg. Code:
Lead Count (#):
Pkg. Dimensions (mm):2 x 3
Pitch (mm):0.5

環境及び輸出分類情報

Moisture Sensitivity Level (MSL)1
ECCN (US)EAR99
HTS (US)8542.32.0051
Pb (Lead) FreeYes

製品スペック

Sample Catalogサンプルリクエスト
Pkg. TypeSOICN
Carrier TypeTape & Reel
Moisture Sensitivity Level (MSL)1
Country of AssemblyCHINA
Country of Wafer FabricationCHINA
Deep Power Down (µA)0.1
Flash by TaskBoot Loader, Datalogging, Execute-in-Place, System Settings
InterfaceSingle, Dual, Quad SPI
Key Benefit90% energy savings
Key FeaturesUltra-low energy; Save more than 90% energy
Longevity2033 12月
MOQ8000
Memory ClassUltra-Low Energy
Memory Density8
Operating Voltage Range (V)1.65 - 3.6
Pb (Lead) FreeYes
Pitch (mm)0.5
Pkg. Dimensions (mm)2 x 3
Price (USD)$0.33492
Qty. per Reel (#)5000
Read Current (mA)1.2
Sleep/Reset Mode Current (µA)0.1
Speed104 MHz
Temp. Range (°C)-40 to +85°C
掲載Yes

説明

AT25EU0081Aは、ブート/コードシャドーイングやスモールバイトロードの更新など、あらゆるシステムメモリタスク用システム強化コードおよびデータストレージソリューションの中で最もエネルギーが少ないラインアップのひとつです。 汎用的で互換性があり、低消費電力と高速読み取り性能を組み合わせて、70%以上のエネルギーを節約します。