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ルネサス エレクトロニクス株式会社 (Renesas Electronics Corporation)
8Mビット超低エネルギーシリアルフラッシュメモリ

パッケージ情報

CADモデル:View CAD Model
Pkg. Type:SOICN
Pkg. Code:
Lead Count (#):
Pkg. Dimensions (mm):2 x 3
Pitch (mm):0.5

環境及び輸出分類情報

Moisture Sensitivity Level (MSL)1
ECCN (US)EAR99
HTS (US)8542.32.0051
Pb (Lead) FreeYes

製品スペック

Sample Catalogサンプルリクエスト
Pkg. TypeSOICN
Carrier TypeTube
Moisture Sensitivity Level (MSL)1
Country of AssemblyCHINA
Country of Wafer FabricationCHINA
Deep Power Down (µA)0.1
Flash by TaskBoot Loader, Datalogging, Execute-in-Place, System Settings
InterfaceSingle, Dual, Quad SPI
Key Benefit90% energy savings
Key FeaturesUltra-low energy; Save more than 90% energy
Longevity2033 12月
MOQ6370
Memory ClassUltra-Low Energy
Memory Density8
Operating Voltage Range (V)1.65 - 3.6
Pb (Lead) FreeYes
Pitch (mm)0.5
Pkg. Dimensions (mm)2 x 3
Qty. per Reel (#)5000
Read Current (mA)1.2
Sleep/Reset Mode Current (µA)0.1
Speed104 MHz
Temp. Range (°C)-40 to +85°C

説明

AT25EU0081Aは、ブート/コードシャドーイングやスモールバイトロードの更新など、あらゆるシステムメモリタスク用システム強化コードおよびデータストレージソリューションの中で最もエネルギーが少ないラインアップのひとつです。 汎用的で互換性があり、低消費電力と高速読み取り性能を組み合わせて、70%以上のエネルギーを節約します。