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ルネサス エレクトロニクス株式会社 (Renesas Electronics Corporation)
1Mbit超低エネルギーシリアルフラッシュメモリ

パッケージ情報

CADモデル:View CAD Model
Pkg. Type:SOIC-N
Pkg. Code:
Lead Count (#):
Pkg. Dimensions (mm):3.81 x 4.80
Pitch (mm):1.27

環境及び輸出分類情報

Moisture Sensitivity Level (MSL)3
Pb (Lead) FreeYes
ECCN (US)
HTS (US)

製品スペック

Sample Catalogサンプルリクエスト
Pkg. TypeSOIC-N
Carrier TypeTape & Reel
Moisture Sensitivity Level (MSL)3
Country of AssemblyCHINA
Country of Wafer FabricationCHINA
Deep Power Down (µA)0.1
Flash by TaskBoot Loader, Datalogging, Execute-in-Place, System Settings
InterfaceSingle, Dual, Quad SPI
Key Benefit90% energy savings
Longevity2033 1月
MOQ12000
Memory ClassUltra-Low Energy
Memory Density1
Operating Voltage Range (V)1.65 - 3.6
Pb (Lead) FreeYes
Pitch (mm)1.27
Pkg. Dimensions (mm)3.81 x 4.80
Qty. per Reel (#)4000
Read Current (mA)1.2
Speed85 MHz
Supply Voltage Vcc Range1.65-3.6
Temp. Range (°C)-40 to +85°C

説明

AT25EU001A は、ブート/コードシャドーイングや小バイトのロード更新などを最小エネルギーで実現するデバイスです。汎用性が高く、低消費電力と高速の読み取り性能を組み合わせることで、70%以上の省エネを実現しています。