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1Mbit超低エネルギーシリアルフラッシュメモリ

パッケージ情報

Pkg. Type: DFN
Pkg. Code:
Lead Count (#):
Pkg. Dimensions (mm): 2 x 3
Pitch (mm): 0.5

環境及び輸出分類情報

Moisture Sensitivity Level (MSL) 3
Pb (Lead) Free Yes
ECCN (US)
HTS (US)

製品スペック

Sample Catalog
Pkg. Type DFN
Carrier Type Tape & Reel
Moisture Sensitivity Level (MSL) 3
Country of Assembly China
Budgetary Price (100u) (USD) 0.157
Budgetary Price (1ku) (USD) 0.134
Budgetary Price (1u) (USD) 0.179
Country of Wafer Fabrication China
Deep Power Down (µA) 0.1
Flash by Task Boot Loader, Datalogging, Execute-in-Place, System Settings
Interface Single, Dual, Quad SPI
Key Benefit 90% energy savings
Longevity 2033 1月
MOQ 5000
Memory Class Ultra-Low Energy
Memory Density 1 Mbit
Operating Voltage Range (V) 1.65 - 3.6
Pb (Lead) Free Yes
Pitch (mm) 0.5
Pkg. Dimensions (mm) 2 x 3
Qty. per Reel (#) 5000
Read Current (mA) 1.2
Speed 85 MHz
Supply Voltage Vcc Range 1.65-3.6
Temp. Range (°C) -40 to +85°C
掲載 Yes

説明

AT25EU001A は、ブート/コードシャドーイングや小バイトのロード更新などを最小エネルギーで実現するデバイスです。汎用性が高く、低消費電力と高速の読み取り性能を組み合わせることで、70%以上の省エネを実現しています。