特長
- Directly driven by a 4.0 V power source.
- Low on-state resistance RDS(on)1 = 105 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 2.0 A) RDS(on)2 = 150 mΩ MAX. (VGS = 4.0 V, ID = 2.0 A)
説明
Support is limited to customers who have already adopted these products.
The 2SK2857C, N-channel vertical type MOSFET designed for general-purpose switch, is a device which can be driven directly by a 4. 0 V power source.
| Part Number | Status | Samples | Stock | RoHS | Package | Lead Count (#) | Moisture Sensitivity Level (MSL) | Pb (Lead) Free |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SK2857C-T1-AZ | Obsolete | N/A | Out of Stock | RoHS:EN RoHS:JA | POMM | 3# | 1 | Yes |
| 2SK2857C(0)-T1-AY | Obsolete | N/A | Out of Stock | RoHS:EN RoHS:JA | POMM | 3# | 1 | Yes |
| 2SK2857C(0)-T1-AZ | Obsolete | N/A | Out of Stock | RoHS:EN RoHS:JA | POMM | 3# | 1 | Yes |
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- アプリケーションノート英語PDF 596 KB R07AN0051EJ0100 Rev.1.00 2026年4月27日Compares the thermal performance of automotive power MOSFETs in the TOLL (TO-Leadless) package and its derivatives, including the TOLT (TO-Leaded Top-side Cooling) package. The information presented in this document is intended to serve as a comprehensive guideline for designing high-power automotive systems.
- アプリケーションノート英語PDF 936 KB R07AN0050EJ0100 Rev.1.00 2025年12月03日Measurement frequency and the influence of parasitic inductance are crucial in capacitance measurements for Power MOSFETs. Split-gate structures, with their low Crss and higher Ciss, face challenges from parasitic inductance, making high-frequency measurements difficult. In contrast, standard-gate trench structures allow relatively accurate results. The influence of parasitic inductance in actual measurements is examined from various perspectives.
- ガイド英語PDF 988 KB R07ZZ0016EJ0100 Rev.1.00 2025年12月03日The diagrams in this document show the recommended mounting pad layout dimensions for Renesas Power MOSFETs. In actual PCB design, optimization should consider mounting density, mountability, dimensional tolerances, and other relevant factors.
- アプリケーションノート日本語AI生成コンテンツ: この部分では、半導体デバイスのパッケージ選定について説明し、金属・セラミック・低融点ガラスの気密封止形とプラスチック封止形に分類しています。プラスチック封止形は信頼性が向上し、自動車や電子機器で広く使われています。面実装パッケージは小型・薄型・高密度実装が可能です。機械的取り扱いではリード成形や切断、プリント基板実装時の応力防止が重要です。ハンダ付けは低温短時間で行い、ロジン系フラックスと適切なアース付きこての使用を推奨しています。
推奨ドキュメント (1)
データシート (1)
- ガイド英語PDF 988 KB R07ZZ0016EJ0100 Rev.1.00 2025年12月03日The diagrams in this document show the recommended mounting pad layout dimensions for Renesas Power MOSFETs. In actual PCB design, optimization should consider mounting density, mountability, dimensional tolerances, and other relevant factors.
マニュアル、ガイド (2)
- アプリケーションノート英語PDF 596 KB R07AN0051EJ0100 Rev.1.00 2026年4月27日Compares the thermal performance of automotive power MOSFETs in the TOLL (TO-Leadless) package and its derivatives, including the TOLT (TO-Leaded Top-side Cooling) package. The information presented in this document is intended to serve as a comprehensive guideline for designing high-power automotive systems.
- アプリケーションノート英語PDF 936 KB R07AN0050EJ0100 Rev.1.00 2025年12月03日Measurement frequency and the influence of parasitic inductance are crucial in capacitance measurements for Power MOSFETs. Split-gate structures, with their low Crss and higher Ciss, face challenges from parasitic inductance, making high-frequency measurements difficult. In contrast, standard-gate trench structures allow relatively accurate results. The influence of parasitic inductance in actual measurements is examined from various perspectives.
- アプリケーションノート日本語AI生成コンテンツ: この部分では、半導体デバイスのパッケージ選定について説明し、金属・セラミック・低融点ガラスの気密封止形とプラスチック封止形に分類しています。プラスチック封止形は信頼性が向上し、自動車や電子機器で広く使われています。面実装パッケージは小型・薄型・高密度実装が可能です。機械的取り扱いではリード成形や切断、プリント基板実装時の応力防止が重要です。ハンダ付けは低温短時間で行い、ロジン系フラックスと適切なアース付きこての使用を推奨しています。
アプリケーションノート、ホワイトペーパー (3)
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