概要
ISL73040SEHEV4Z評価ボードは、ISL73040SEHローサイドGaNドライバとISL73024SEH 200V GaN FETを使用してハーフブリッジパワーステージを構築する方法を示します。ISL73040SEHは、4.5Vゲートドライブ電圧(VDRV)で動作します。これはゲート電圧が、ISL73024SEHを構成するGaN FETの最大ゲートソース定格を超えることを防止する、内部レギュレータを使用して生成されます。ISL73024SEHは、7.5Aのドレイン電流に対応する200V GaN FETです。
特長
- ハーフブリッジ構成を駆動するシングルPWM入力
- 調節可能なデッドタイムコントロール
- さまざまなインダクタの配線をサポートするインターフェース
- 高スイッチング周波数において95%を超えるピーク効率
- イネーブル/ディスエーブル機能
アプリケーション
産業オートメーション
使用製品
| ISL73024SEH | 200V, 7.5A Enhancement Mode GaN Power Transistors |
| ISL73040SEH | Radiation Hardened Low-Side GaN FET Driver |
サンプル＆ご購入
ISL73040SEHEV4Z
アクティブ| Pb (Lead) Free: | Yes |
| ECCN (US): | EAR99 |
| HTS (US): | 8473.30.1180 |
ビデオ&トレーニング
Renesas, a leading solution provider in the satellite and high-reliability industry, introduces its Gallium Nitride (GaN) technology with the ISL70024SEH and ISL70040SEH. Designed specifically for space applications, it delivers reliable performance under total ionizing dose (TID) and heavy ion exposure. Paired with a Renesas GaN driver and FET, it enables more efficient switching, higher frequency operation, reduced gate drive voltage, and a smaller solution size compared to traditional silicon devices.
