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ルネサス エレクトロニクス株式会社 (Renesas Electronics Corporation) - 6月はプライド月間として、LGBTQ+の権利や文化、コミュニティについて啓発する世界的な活動月間です

説明

The ISL71441MEV1Z evaluation board evaluates the performance of the ISL71441M 12V GaN FET half-bridge driver in an open-loop buck configuration. The evaluation board includes the GaN FET half-bridge driver, Renesas GaN FETs, and a buck converter power stage inductor and output capacitors.

The ISL71441M is a radiation tolerant PWM input 12V half-bridge GaN FET driver designed to drive low rDS(ON) Gallium Nitride (GaN) FETs for DC/DC switching regulators. An integrated programmable GaN FET gate drive voltage, high-side bootstrap switch, and strong gate drive current provide a compact and robust GaN FET half-bridge driver. The ISL71441M can interface directly to the ISL73847M dual-phase PWM buck controller to create a high-efficiency point-of-load (POL) regulator to power many of the latest low voltage, high current FPGA and DSP digital core rails.

特長

  • 4.75V to 13.2V VDD power supply range
  • 300kHz to 1MHz PWM frequency (external component limited)
  • Buck output load current up to 25A

アプリケーション

分類 タイトル 日時
マニュアル-開発ツール PDF 1.26 MB
PCB設計ファイル ZIP 1.42 MB
2件
Part NumberStatusStockSampleablePb (Lead) FreeECCN (US)HTS (US)
ISL71441MEV1ZActiveOut of StockAvailableYesEAR998473.30.1180
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