概要
説明
ISL71040MEV1Z評価プラットフォームは、ISL71040M評価用に設計されています。ISL71040MローサイドGaN FETドライバは、絶縁トポロジおよび昇圧タイプ構成で、エンハンスモードのガリウム窒化（GaN）FETを動作させるように設計されています。これは4.5V～13.2Vで動作し、単一デバイス内での非反転および反転ゲート駆動を評価するため、両方の入力が行えます。ISL71040Mは、4.5Vのゲートドライブ電圧（VDRV）で動作します。これはゲート電圧が、エンハンスモードGaN FETの最大ゲートソース定格を超えないよう内部レギュレータを使用して生成されます。さらに特徴として、低電圧ロックアウト（UVLO）保護があります。これは入力（INおよびINB）を無視し、OUTLのオン状態を維持して、VDRVがUVLO閾値を下回ると、必ずGaN FETをオフにします。ISL71040M入力は、VDD電圧に関係なく、最大14.7Vの電圧に耐えることができます。これによりISL71040M入力は、ほとんどのPWMコントローラに直接接続できます。ISL71040Mの分割出力により、オン/オフ切り替えパスにインピーダンスを追加することで、オン/オフ速度を独立して調整できる柔軟さを持たせることができます。
特長
- 幅広いVDD範囲シングル
- 4.5V～13.2V
- GaN FETを切り替える負荷抵抗器を設置するスペース
- ゲート波形を解析するためのゲート駆動電圧のSMAコネクタ
- ドレイン-ソース波形を解析するためのドレイン/ソースセンステストポイント
- 電源供給およびドレイン/ソース接続用のバナナジャックコネクタ
アプリケーション
ビデオ&トレーニング
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