ルネサスのディスクリートおよびパワーデバイスポートフォリオには、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)、パワーダイオード、パワーMOSFET、トライアック、サイリスタ、バイポーラパワートランジスタなどがあります。 システムの高性能化、小型・軽量化をサポートする製品ラインナップです。

カテゴリ

パワーIGBT (Insulated Gate Bipolar Transistors)

薄型ウェハ技術による低飽和電圧と高速スイッチング

パワーMOSFET

低オン抵抗、高速スイッチング、高ロバスト性を実現するMOSFET

パワーサイリスタとトライアック

ジャンクション温度(Tj)150℃保証のトライアックとサイリスタ

パワーダイオード

非常に高い周波数のアプリケーションで整流する、迅速な回復時間

パワーバイポーラトランジスタ

高出力、低Vce(sat)を実現のバイポーラトランジスタ

車載用インテリジェント パワー デバイス(保護機能内蔵)

車載ボディ、照明、ヒーターなどのアプリケーション向けデバイス

ドキュメント

分類 タイトル 日付
ガイド PDF 1.71 MB
カタログ PDF 1.92 MB
パンフレット PDF 1.28 MB 英語 , 简体中文
3 items
IGBT Products

Renesas IGBT products Line-up