概要

説明

RMLV0816BGSBは、524,288ワード × 16ビット構成の8MビットスタティックRAMです。Advanced LPSRAM技術を採用し、高密度、高性能、低消費電力を実現しております。したがって、RMLV0816BGSBは、バッテリバックアップシステムに最適です。また、RMLV0816BGSBは、44ピンの薄型パッケージ(TSOP/11.76mm×18.41mm [ピンピッチ 0.80mm])に収納されており、高密度実装に最適です。

特長

  • 3V 単一電源:2.4V ~ 3.6V
  • アクセス時間
    -電源電圧 2.7V~3.6V 時:45ns (max.)
    -電源電圧 2.4V~2.7V 時:55ns (max.)
  • 消費電流
    -スタンバイ時:0.45µA (typ.)
  • アクセスとサイクル時間が同じです。
  • データ入力と出力が共通端子です。
    -スリーステート出力
  • すべての入出力が、TTLコンパチブルです。
  • バッテリバックアップ動作が可能です。

製品比較

アプリケーション

ドキュメント

分類 タイトル 日付
データシート PDF 454 KB 英語
ガイド PDF 568 KB 英語
ガイド PDF 1.31 MB 英語
製品別信頼性資料 PDF 202 KB
製品変更通知 PDF 1.14 MB 英語
パッケージ外形図 PDF 79 KB
製品変更通知 PDF 1.08 MB 英語
製品変更通知 PDF 857 KB 英語
8 items

設計・開発

モデル