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近年、システムプログラムや金融取引データなどの重要な情報を保存するために使用される、安全性と信頼性の高いユーザーシステムに対する要求が高まっています。 ルネサスの低消費電力SRAM( LPSRAM)製品は、中・小規模メモリシステムへの採用実績があり、FA(ファクトリーオートメーション)、産業機器、スマートグリッドなどのアプリケーションにおいて、信頼性の向上とバックアップバッテリの長寿命化を実現します。
その主力製品である、ルネサスの「Advanced Low Power SRAM」シリーズは、技術的なトレードオフなしに高性能と高信頼性の両立を実現し、高い評価を得ています。 これらの先進的なLPSRAMデバイスは、従来のフルCMOSメモリセルの500倍以上のソフトエラー耐性を実現する独自の技術をメモリセルに搭載しています。 そのため、高い信頼性が要求される分野での使用に適しています。
PLP |
Memory Density |
Organization |
Access Time (ns) |
Supply Voltage (V) |
Temp. Range |
|
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型名 | ||||||
1Mb 低消費電力SRAM (128k word x 8bit) | 2031 3月, 2032 12月 | 1M | 128K x 8 | 55 | 4.5 - 5.5 | -40 to 85°C |
4Mb 低消費電力SRAM (512-kword × 8-bit) | 2031 3月, 2032 12月 | 4M | 512K x 8 | 55 | 4.5 - 5.5 | -40 to 85°C |
256Kb 低消費電力SRAM (32k word x 8bit) | 2032 12月 | 256k | 32K x 8 | 55 | 4.5 - 5.5 | -40 to 85°C |
1Mb 低消費電力SRAM (128k word x 8bit) | 2031 3月, 2032 12月 | 1M | 128K x 8 | 55 | 2.7 - 3.6 | -40 to 85°C |
2Mb 低消費電力SRAM (256k word x 8bit) | 2032 12月 | 2M | 256K x 8 | 55 | 2.7 - 3.6 | -40 to 85°C |
2Mb 低消費電力SRAM (128k word x 16bit) | 2032 12月 | 2M | 128K x 16 | 55 | 2.7 - 3.6 | -40 to 85°C |
256Kb 低消費電力SRAM (32k word x 8bit) | 2032 12月 | 256k | 32K x 8 | 55 | 2.7 - 3.6 | -40 to 85°C |
4Mbit 低消費電力SRAM (512-kword × 8-bit) | 2031 3月, 2032 12月 | 4M | 512K x 8 | 45 | 2.7 - 3.6 | -40 to 85°C |
4Mbit 低消費電力SRAM (256-kword × 16-bit) | 2032 12月 | 4M | 256K x 16 | 45 | 2.7 - 3.6 | -40 to 85°C |
4Mbit 低消費電力SRAM (256-kword × 16-bit) | 2032 12月 | 4M | 256K x 16 | 45 | 2.7 - 3.6 | -40 to 85°C |
8Mb 低消費電力SRAM (1024k word × 8bit) | 2032 12月 | 8M | 1M x 8 | 45 | 2.4 - 3.6 | -40 to 85°C |
8Mb 低消費電力SRAM (512k word × 16bit) | 2032 12月 | 8M | 512K x 16 | 45 | 2.4 - 3.6 | -40 to 85°C |
8Mb 低消費電力SRAM (512k word × 16bit / 1024k word x 8bit) | 2032 12月 | 8M | 512K x 16 | 45 | 2.4 - 3.6 | -40 to 85°C |
8Mb 低消費電力SRAM (512k word × 16bit) | 2032 12月 | 8M | 512K x 16 | 45 | 2.4 - 3.6 | -40 to 85°C |
8Mb 低消費電力SRAM (512k word × 16bit / 1024k word x 8bit) | 2032 12月 | 8M | 512K x 16 | 45 | 2.4 - 3.6 | -40 to 85°C |
16Mb 低消費電力SRAM (1M word × 16bit / 2M word x 8bit) | 2032 12月 | 16M | 1M x 16 | 55 | 2.7 - 3.6 | -40 to 85°C |
16Mbit 低消費電力SRAM (1M word × 16bit / 2M word × 8bit) | 検討中 | 16M | 1M x 16 | 55 | 2.7 - 3.6 | -40 to 85°C |
32Mb 低消費電力SRAM (2M word × 16bit / 4M word x 8bit) | 2032 12月 | 32M | 2M x 16 | 55 | 2.7 - 3.6 | -40 to 85°C |
32Mb 低消費電力SRAM (2M word × 16bit) | 2032 12月 | 32M | 2M x 16 | 55 | 2.7 - 3.6 | -40 to 85°C |
64Mb 低消費電力SRAM (4M word × 16bit / 8M word x 8bit) | 2032 12月 | 64M | 4M x 16 | 55 | 2.7 - 3.6 | -40 to 85°C |
Document title | Document type
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日付 日付 |
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PDF 568 KB 英語 | ガイド | |
PDF 1.58 MB 英語 | 概要 | |
PDF 5.99 MB 英語 | カタログ | |
PDF 3.23 MB | カタログ | |
PDF 1.31 MB 英語 | ガイド | |
PDF 2.41 MB 英語 | ガイド | |
PDF 8.71 MB 英語 , 简体中文 | カタログ | |
7 items
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