概要

説明

The R1RP0408D Series is a 4-Mbit High-Speed static RAM organized 512-k word × 8-bit. It has realized High-Speed access time by employing CMOS process (6-transistor memory cell) and High-Speed circuit designing technology. It is most appropriate for the application which requires High-Speed, high density memory and wide bit width configuration, such as cache and buffer memory in system. It is packaged in 400-mil 36-pin plastic SOJ.

特長

  • Single 5.0 V supply: 5.0 V ± 10 %
  • Access time: 12 ns (max)
  • Completely static memory: No clock or timing strobe required
  • Equal access and cycle times
  • Directly TTL compatible: All inputs and outputs
  • Operating current: 130 mA (max)
  • TTL standby current: 40 mA (max)
  • CMOS standby current: 5 mA (max), 1.0mA (max) (L-version)
  • Data retention current : 0.5mA (max) (L-version)
  • Data retention voltage : 2.0V (min) (L-version)
  • Center VCC and VSS type pin out

製品比較

アプリケーション

ドキュメント

分類 タイトル 日付
データシート PDF 488 KB 英語
ガイド PDF 568 KB 英語
ガイド PDF 1.31 MB 英語
製品別信頼性資料 PDF 202 KB
製品別信頼性資料 PDF 202 KB
製品変更通知 PDF 1.37 MB 英語
製品変更通知 PDF 1.54 MB 英語
パッケージ外形図 PDF 21 KB
8 items

設計・開発

モデル