概要

Description

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Renesas Electronics’ R1EV58256BxxN series and R1EV58256BxxR series are electrically erasable and programmable EEPROM’s organized as 32768-word  8-bit. They have realized high speed, low power consumption and high reliability by employing advanced MONOS memory technology and CMOS process and circuitry technology. They also have a 64-byte page programming function to make their write operations faster.

特長

  • Single supply: 2.7 to 5.5 V
  • Access time: 85 ns (max)/100 ns (max) at 4.5 V ≤ VCC < 5.5 V 120 ns (max) at 2.7 V ≤ VCC ≤ 5.5 V
  • Power dissipation: Active: 20 mW/MHz (typ) Standby: 110 μW (max)
  • On-chip latches: address, data, CE, OE, WE
  • Automatic byte write: 10 ms (max)
  • Automatic page write (64 bytes): 10 ms (max)
  • Ready/Busy (only the R1EV58256BxxR series)
  • Data polling and Toggle bit
  • Data protection circuit on power on/off
  • Conforms to JEDEC byte-wide standard
  • Reliable CMOS with MONOS cell technology
  • 10⁵ or more erase/write cycles
  • 10 or more years data retention
  • Software data protection
  • Write protection by RES pin (only the R1EV58256BxxR series)
  • Temperature range: -40 to 85°C
  • There are lead free products.

ドキュメント

タイトル 分類 日付
PDF604 KBEnglish
データシート
PDF767 KBEnglish
ガイド
PDF1.08 MBEnglish
アプリケーションノート
PDF1.10 MBEnglish
関連ファイル:
アプリケーションノート
PDF1.31 MBEnglish
関連ファイル:
アプリケーションノート
PDF1.20 MBEnglish
関連ファイル:
アプリケーションノート
PDF1.07 MBEnglish
関連ファイル:
アプリケーションノート
PDF1.78 MBEnglish
関連ファイル:
アプリケーションノート
PDF2.12 MBEnglish
関連ファイル:
アプリケーションノート
PDF356 KBEnglish
関連ファイル:
アプリケーションノート
PDF377 KBEnglish
アプリケーションノート
PDF297 KBEnglish
関連ファイル:
アプリケーションノート
PDF357 KBEnglish
関連ファイル:
アプリケーションノート
PDF416 KB
アプリケーションノート
PDF147 KB
アプリケーションノート
PDF278 KB
アプリケーションノート
PDF228 KB
アプリケーションノート
PDF189 KB
アプリケーションノート
PDF1.32 MB
カタログ
PDF737 KBEnglish
データシート
PDF4.87 MBEnglish
製品変更通知
PDF3.82 MBEnglish
製品変更通知
PDF1.91 MBEnglish
製品変更通知
PDF156 KBEnglish
テクニカルアップデート
PDF338 KBEnglish
テクニカルアップデート
PDF84 KB
テクニカルアップデート
PDF95 KB
テクニカルアップデート
PDF107 KB
テクニカルアップデート
PDF148 KBEnglish
テクニカルアップデート
PDF446 KB
テクニカルアップデート
PDF317 KBEnglish
テクニカルアップデート

設計・開発

モデル