ルネサス エレクトロニクス株式会社 (Renesas Electronics Corporation)
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高効率電源・モータ設計の次の一手！電力ロス削減と小型化を導くSuperGaN＆REXFET

～新製品と今後の展開～ 

製品紹介

 

費用 （無料）　　　対象製品 　GaN / MOSFET

お申し込みはこちら

開催日時／会場

2026年  4月 22日（水）14:00～16:00 オンライン 

　　※お申し込み受付の締切は、セミナー開催の前営業日17:00となります。

受講をお勧めしたい方

  • モータや電源などの電力の高効率化をご検討中の設計・企画の方​
  • Power discrete Deviceの最新状況にご興味のある方

受講に必要な前提知識

  • なし

内容

ルネサスではパワー半導体GaNとMOSFETの新製品を続々と市場投入しています。GaN製品は独自のCascode構造技術を持つSuper GaN、MOSFETはSplit Gate構造の新シリーズREXFETを市場投入。さらにE-mode構造の低耐圧GaNも開発スタート。新製品は従来製品に比べ高速スイッチング、On抵抗に優れ、従来実現できなかった電力ロス削減、周辺部品の小型化を実現できます。本セミナーでは新製品の製品概要と今後の取り組みを紹介いたします。

カリキュラム

  1. GaNおよびMOSFETの事業方針
    • パワープロダクトグループ事業概要/戦略/MOSFETおよびGaN沿革
  2. MOSFETへの取り組み
    • ターゲット市場/テクノロジーロードマップ
    • Split Gate構造
    • 製品ロードマップ/パッケージラインナップ/製品仕様
    • REXFETスイッチング評価
  3. GaNへの取り組み
    • GaN市場/ポートフォリオ戦略
    • GaNデバイス概要/Renesas GaNの優位性
    • HV GaNロードマップ/HV GaN採用事例
    • GaN SiP
    • LV GaNロードマップ/LV GaN Advantage/評価ボード
  4. 最後に
    • 社外WEB, アプリケーションノートの紹介

受講者演習環境

  • なし

講師説明環境

  • なし

オンラインセミナー受講環境

本セミナーはMicrosoft Teams TownHallで配信します。

ご注意：
Microsoft Teams TownHall配信のセミナーは、途中でも、巻き戻し/早送りが可能です。
皆様の進捗に合わせてご受講いただけます。巻き戻しなどを多用されます場合はQ&Aの時間にご注意ください。
Q&Aはセミナー時間内のみで可能です。
なお、セミナー中のQ&Aに随時対応するため、講師説明は録画を使用する場合がございますのでご了承願います。

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2026年  4月 22日（水） お申し込み