パッケージ情報
| CADモデル: | View CAD Model |
| Pkg. Type: | FCLGA |
| Pkg. Code: | FL0009AB |
| Lead Count (#): | 9 |
| Pkg. Dimensions (mm): | 3.3 x 3.3 x 0.796 |
| Pitch (mm): | 0.65 |
環境及び輸出分類情報
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 |
| ECCN (US) | EAR99 |
| HTS (US) | 8541.29.0095 |
| RoHS (RTP100E1P8G1FL-DSC-TR) | 英語日本語 |
| Pb (Lead) Free |
製品スペック
| Pkg. Type | FCLGA |
| Carrier Type | Tape & Reel |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Temp. Range (°C) | -40 to +150°C |
| Assembly Location | CHINA |
| Wafer Fab Location | Taiwan |
| Blocking Capability | Uni-Directional Switch |
| Ciss (Typical) (pF) | 2147 |
| Coss (Typical) (pF) | 606 |
| FET Type | E-mode GaN |
| IDS (A) @ Ta = 25°C | 29 |
| IDS (A) @ Tc = 25°C | 282 |
| Id max @ 25°C (A) | 38.7 |
| Lead Count (#) | 9 |
| Pkg. Dimensions (mm) | 3.3 x 3.3 x 0.796 |
| Price (USD) | $1.75 |
| Qg typ (nC) | 16.3 |
| Qoss (nC) | 50 |
| Qualification Level | Standard |
| Quality Level | Standard |
| RDSON (Typ) (mΩ) | 1.8 |
| RDSON (max) (mΩ) | 2.4 |
| Ron * Qoss (FOM) | 99 |
| Theta-JA (°C/W) | 47 |
| V(TR)DSS max (V) | 120 |
| Vds min (V) | 100 |
| Vth typ (V) | 1.1 |
RTP100E1P8G1FL-DSC に関するリソース
説明
RTP100E1P8G1FL-DSCは、ルネサスの第1世代REXGaN®プラットフォームを採用した100V、1.8mΩのエンハンスメントモード（E-mode）窒化ガリウム（GaN）FETです。コンパクトな 3.3mm × 3.3mm両面冷却（DSC）FCLGAパッケージ を採用しています。 先進的なパッケージ技術により、超高速スイッチング性能と優れた熱特性を両立し、高効率・高電力密度設計を可能にします。 両面冷却パッケージとシリコンMOSFET互換フットプリントを採用しているため、従来のシリコンMOSFETからGaNへの設計移行を容易にし、開発期間の短縮、放熱設計の改善、および電力損失の低減に貢献します。