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ルネサス エレクトロニクス株式会社 (Renesas Electronics Corporation) - 6月はプライド月間として、LGBTQ+の権利や文化、コミュニティについて啓発する世界的な活動月間です
65W~100W AC/DCデジタルSSRフライバックSiP(700V 150mΩ GaN FET内蔵)

パッケージ情報

CADモデル:View CAD Model
Pkg. Type:QFN8x8
Pkg. Code:
Lead Count (#):22
Pkg. Dimensions (mm):8 x 8 x 0.85
Pitch (mm):

環境及び輸出分類情報

Moisture Sensitivity Level (MSL)3
HTS (US)8542.39.0090
RoHS (RRW22101-153)英語日本語
Pb (Lead) Free
ECCN (US)

製品スペック

Lead Count (#)22
Carrier TypeTape & Reel
Moisture Sensitivity Level (MSL)3
Control ModePeak Current Mode DCM/CCM
Switching Frequency (KHz)70 - 270
VBIAS (Max) (V)42
Temp. Range (°C)-40 to +150°C
Advanced FeaturesSuperGaN Integrated
ApplicationIndustrial Power, Appliances & White Goods, Network Power, Server Aux Power, PoE, TV Power, Isolated Power for Gate Drivers, Motor
Controller / IntegratedIntegrated
Country of AssemblyTAIWAN, MALAYSIA
Country of Wafer FabricationDie1:KR, Die2:JP, Die3:TW
FunctionSSR Flyback
Key FeaturesCompatible with 3rd Party Secondary Feedback and TL431
Length (mm)8
MOQ4000
No-Load Operating Current0.7
Output Power Max (W)100
Output Voltage (Max) (V)24
Outputs (Max) (#)3
PWMs (#)1
Parametric CategoryFlyback & Forward Controllers
Pass Device 
Phases (Max)Flyback & Forward Controllers
Pkg. Dimensions (mm)8 x 8 x 0.85
Pkg. TypeQFN8x8
Product CategoryFlyback & Forward Controllers
Protection FeaturesBrown-out, OTP, UVLO, Output OVP, OCP
Qualification LevelStandard
Quality LevelStandard
Simulation Model AvailableNo
Supply Voltage (max) (V)45 - 45
Thickness (mm)0.85
Topology CharacteristicSSR Flyback
UVLO Falling (V)7.5
UVLO Rising (V)15.3
Width (mm)8

説明

RRW22101は、700V SuperGaN FETと高性能なAC/DC一次側デジタルフライバックコントローラを統合したSystem-in-Package(SiP)製品であり、二次側制御(SSR)に対応しています。 65W以上の高出力アダプタ向けに設計されており、TL431シャントレギュレータおよびサードパーティ製二次側コントローラとの組み合わせによる動作をサポートし、幅広いアプリケーションに対応します。

本デバイスは固定周波数準共振(QR)モードで動作し、PWM(パルス幅変調)、PFM(パルス周波数変調)、バーストモード動作を含む適応マルチモード制御(MMC)を採用しています。 この制御アーキテクチャにより、効率を向上させるとともに、EMIを低減し、負荷条件の変化にわたって可聴ノイズを排除します。

TL431またはその他の二次側コントローラと組み合わせることで、RRW22101は高精度な定電圧(CV)制御、高速な動的負荷応答を実現し、一般的な高出力設計において230VACでのスタンバイ消費電力を75mW未満に抑えることができます。 さらに、内蔵保護機能と補助巻線電圧の正負両極性センシングにより、トランス設計を簡素化し、EMI性能を向上させるとともに、システムコストの低減に貢献します。