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ルネサス エレクトロニクス株式会社 (Renesas Electronics Corporation)
64Mb 低消費電力SRAM (4M word × 16bit / 8M word x 8bit)

パッケージ情報

CADモデル:View CAD Model
Pkg. Type:FBGA(48)
Pkg. Code:pkg_11618
Lead Count (#):48
Pkg. Dimensions (mm):8 x 8 x 1.2
Pitch (mm):

環境及び輸出分類情報

Moisture Sensitivity Level (MSL)3
ECCN (US)3A991.b.2.a
HTS (US)8542.32.0041
Pb (Lead) FreeYes

製品スペック

Carrier TypeTray
Moisture Sensitivity Level (MSL)3
Assembly LocationJAPAN, TAIWAN
Wafer Fab LocationJAPAN
Access Time (ns)55
Density (Kb)64000
Lead CompliantYes
Lead Count (#)48
Length (mm)8
MOQ1
Memory Capacity (kbit)64000
Memory Density64
Organization4M x 16
Organization (bit)x 16
Organization (kword)4000
Pb (Lead) FreeYes
Pkg. Dimensions (mm)8 x 8 x 1.2
Pkg. TypeFBGA(48)
Price (USD)$44.4569
RemarksDual Chip Select (CS1#, CS2)
Supply Voltage (V)2.7 - 3.6
Tape & ReelNo
Temp. Range (°C)-40 to +85
Thickness (mm)1.2
Width (mm)8

説明

RMWV6416Aシリーズは、4,194,304ワード × 16ビット構成の64MビットスタティックRAMです。Advanced LPSRAM技術を採用し、高密度、高性能、低消費電力を実現しております。したがって、RMWV6416Aシリーズは、バッテリバックアップシステムに最適です。また、RMWV6416Aシリーズは、48 ピンの薄型パッケージ(TSOP/12mm×20mm [ピンピッチ 0.50mm])、52ピンの超薄型パッケージ(µTSOP/10.79mm × 10.49mm [ピンピッチ 0.40mm])、48ボールファインピッチBGA(FBGA 0.75mmボールピッチ)に収納されており、高密度実装に最適です。