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ルネサス エレクトロニクス株式会社 (Renesas Electronics Corporation) - 6月はプライド月間として、LGBTQ+の権利や文化、コミュニティについて啓発する世界的な活動月間です

特長

  • 3V 単一電源:2.4V ~ 3.6V
  • アクセス時間
    -電源電圧 2.7V~3.6V 時:45ns (max.)
    -電源電圧 2.4V~2.7V 時:55ns (max.)
  • 消費電流
    -スタンバイ時:0.45µA (typ.)
  • アクセスとサイクル時間が同じです。
  • データ入力と出力が共通端子です。
    -スリーステート出力
  • すべての入出力が、TTLコンパチブルです。
  • バッテリバックアップ動作が可能です。

説明

RMLV0816BGSDは、524,288ワード × 16ビット構成の8MビットスタティックRAMです。Advanced LPSRAM技術を採用し、高密度、高性能、低消費電力を実現しております。したがって、RMLV0816BGSDは、バッテリバックアップシステムに最適です。また、RMLV0816BGSDは、52ピンの超薄型パッケージ(µTSOP/10.79mm × 10.49mm [ピンピッチ 0.40mm])に収納されており、高密度実装に最適です。

パラメータ

属性
Memory Density8
Organization512K x 16
Access Time (ns)45
Supply Voltage (V)2.4 - 3.6
Temp. Range (°C)-40 to +85

パッケージオプション

Pkg. TypePkg. Dimensions (mm)Lead Count (#)Pitch (mm)
TSOP(2)11 x 9 x 1520.4
型名状態サンプル在庫RoHSパッケージ参考価格(米ドル)Carrier TypeMoisture Sensitivity Level (MSL)Country of AssemblyCountry of Wafer Fabrication
RMLV0816BGSD-4S2#AA1ActiveAvailable在庫切れ問合せTSOP(2)1ku | $10.95Tray3TAIWANJAPAN
RMLV0816BGSD-4S2#HA1ActiveN/A在庫切れ問合せTSOP(2)1ku | $10.95Embossed Tape3TAIWANJAPAN
RMLV0816BGSD-4S2#AC0ObsoleteN/A在庫ありRoHS:EN
RoHS:JA
TSOP(2)Tray2
RMLV0816BGSD-4S2#HC0ObsoleteN/A在庫ありRoHS:EN
RoHS:JA
TSOP(2)Embossed Tape2
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