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ルネサス エレクトロニクス株式会社 (Renesas Electronics Corporation)
4Mbit 低消費電力SRAM (256-kword × 16-bit)

パッケージ情報

CADモデル:View CAD Model
Pkg. Type:TSOP(44)
Pkg. Code:pkg_11787
Lead Count (#):44
Pkg. Dimensions (mm):18 x 10 x 1.2
Pitch (mm):0.8

環境及び輸出分類情報

Moisture Sensitivity Level (MSL)3
ECCN (US)3A991.b.2.a
HTS (US)8542.32.0041
RoHS (RMLV0414EGSB-4S2#AA1)英語日本語
Pb (Lead) FreeYes

製品スペック

Carrier TypeTray
Moisture Sensitivity Level (MSL)3
Country of AssemblyMALAYSIA, TAIWAN
Country of Wafer FabricationJAPAN
Access Time (ns)45
Density (Kb)4000
Lead CompliantYes
Lead Count (#)44
Length (mm)18
Longevity2032 12月
MOQ1
Memory Capacity (kbit)4000
Memory Density4
Organization256K x 16
Organization (bit)x 16
Organization (kword)256
Pb (Lead) FreeYes
Pkg. Dimensions (mm)18 x 10 x 1.2
Pkg. TypeTSOP(44)
Price (USD)$3.86396
RemarksSingle Chip Select (CS#)
Replacement RemarkBack-end site change etc
Supply Voltage (V)2.7 - 3.6
Tape & ReelNo
Temp. Range (°C)-40 to +85
Thickness (mm)1.2
Width (mm)10

説明

RMLV0414Eシリーズは、262,144ワード × 16ビット構成の4MビットスタティックRAMです。Advanced LPSRAM技術を採用し、高密度、高性能、低消費電力を実現しております。したがってRMLV0414Eシリーズは、バッテリバックアップシステムに最適です。

パッケージの種類は、高密度実装可能な44ピンTSOP(II)が用意されています。