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ルネサス エレクトロニクス株式会社 (Renesas Electronics Corporation)
4Mbit 低消費電力SRAM (512-kword × 8-bit)

パッケージ情報

CADモデル:View CAD Model
Pkg. Type:TSOP(2)
Pkg. Code:pkg_9255
Lead Count (#):32
Pkg. Dimensions (mm):21 x 10 x 1.2
Pitch (mm):

環境及び輸出分類情報

Moisture Sensitivity Level (MSL)3
RoHS (RMLV0408EGSB-4S2#HA0)英語日本語
Pb (Lead) FreeYes
ECCN (US)
HTS (US)

製品スペック

Carrier TypeEmbossed Tape
Moisture Sensitivity Level (MSL)3
Access Time (ns)45
Density (Kb)4000
Lead CompliantYes
Lead Count (#)32
Length (mm)21
MOQ1000
Memory Capacity (kbit)4000
Memory Density4
Organization512K x 8
Organization (bit)x 8
Organization (kword)512
Pb (Lead) FreeYes
Pkg. Dimensions (mm)21 x 10 x 1.2
Pkg. TypeTSOP(2)
RemarksSingle Chip Select (CS#)
Replacement ProductRMLV0408EGSB-4S2#HA1
Supply Voltage (V)2.7 - 3.6
Tape & ReelNo
Temp. Range (°C)-40 to +85
Thickness (mm)1.2
Width (mm)10

説明

RMLV0408Eシリーズは、524,288ワード × 8ビット構成の4MビットスタティックRAMです。Advanced LPSRAM技術を採用し、高密度、高性能、低消費電力を実現しております。したがってRMLV0408Eシリーズは、バッテリバックアップシステムに最適です。

パッケージの種類は、高密度実装可能な32ピンSOP、32ピンTSOP(II)、32ピンsTSOPが用意されています。