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ルネサス エレクトロニクス株式会社 (Renesas Electronics Corporation)
4Mbit 低消費電力SRAM (512-kword × 8-bit)

パッケージ情報

CADモデル:View CAD Model
Pkg. Type:sTSOP(32)
Pkg. Code:pkg_11617
Lead Count (#):32
Pkg. Dimensions (mm):12 x 8 x 1.2
Pitch (mm):0.5

環境及び輸出分類情報

Moisture Sensitivity Level (MSL)3
ECCN (US)3A991.b.2.a
HTS (US)8542.32.0041
RoHS (RMLV0408EGSA-4S2#AA1)英語日本語
Pb (Lead) FreeYes

製品スペック

Carrier TypeTray
Moisture Sensitivity Level (MSL)3
Country of AssemblyMALAYSIA, TAIWAN
Country of Wafer FabricationJAPAN
Access Time (ns)45
Density (Kb)4000
Lead CompliantYes
Lead Count (#)32
Length (mm)12
Longevity2032 12月
MOQ1
Memory Capacity (kbit)4000
Memory Density4
Organization512K x 8
Organization (bit)x 8
Organization (kword)512
Pb (Lead) FreeYes
Pkg. Dimensions (mm)12 x 8 x 1.2
Pkg. TypesTSOP(32)
Price (USD)$3.82718
RemarksSingle Chip Select (CS#)
Replacement RemarkBack-end site change etc
Supply Voltage (V)2.7 - 3.6
Tape & ReelNo
Temp. Range (°C)-40 to +85
Thickness (mm)1.2
Width (mm)8

説明

RMLV0408Eシリーズは、524,288ワード × 8ビット構成の4MビットスタティックRAMです。Advanced LPSRAM技術を採用し、高密度、高性能、低消費電力を実現しております。したがってRMLV0408Eシリーズは、バッテリバックアップシステムに最適です。

パッケージの種類は、高密度実装可能な32ピンSOP、32ピンTSOP(II)、32ピンsTSOPが用意されています。