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ルネサス エレクトロニクス株式会社 (Renesas Electronics Corporation) - 6月はプライド月間として、LGBTQ+の権利や文化、コミュニティについて啓発する世界的な活動月間です

特長

  • 750V trench & field stop high AE4 technology
  • Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.4V typ. (at IC = 300A, VGE = 15V, Tj = 25 ℃)
  • Low switching loss
  • Easy paralleling by internal Rg
  • AEC Q101 (HTRB, HTGB) qualified

説明

ルネサスの車載用AE4 IGBTは、プロセス構造に独自のトレンチゲート構成を採用しています。これらのデバイスは、破壊耐量を犠牲にすることなく低オン電圧化を可能とし、更には、低スイッチングロス化を実現しています。本750V/300A IGBTは、ハイブリッドや電気自動車用の走行インバータなどの高出力アプリケーション向けに最適化されています。

アプリケーション

  • Hybrid and electric vehicle inverter
型名状態サンプル在庫パッケージ
RJP6831PJWS-00#W0ObsoleteN/A在庫切れSawn Wafer
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