パッケージ情報
| CADモデル: | View CAD Model |
| Pkg. Type: | Sawn Wafer |
| Pkg. Code: | |
| Lead Count (#): | |
| Pkg. Dimensions (mm): | |
| Pitch (mm): |
環境及び輸出分類情報
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | |
| Pb (Lead) Free | No |
| ECCN (US) | |
| HTS (US) |
製品スペック
| Pkg. Type | Sawn Wafer |
| Application | Inverter |
| IC (A) | 300 |
| Ic (Peak) (A) | 900 |
| MOQ | 1 |
| Nch/Pch | Nch |
| Pb (Lead) Free | No |
| Qualification Level | Automotive |
| Simulation Model Available | Yes |
| Technology | AE4 |
| Tj (°C) | 175 |
| VCE (sat) (V) | 1.4 |
| VCES (V) | 750 |
| VGE (Off) (V) | 6.5 |
| tf (Typical) (µs) | 0.122 |
| tsc (μs) | 6 |
RJP6831PJWS に関するリソース
説明
ルネサスの車載用AE4 IGBTは、プロセス構造に独自のトレンチゲート構成を採用しています。これらのデバイスは、破壊耐量を犠牲にすることなく低オン電圧化を可能とし、更には、低スイッチングロス化を実現しています。本750V/300A IGBTは、ハイブリッドや電気自動車用の走行インバータなどの高出力アプリケーション向けに最適化されています。