ルネサス エレクトロニクス株式会社 (Renesas Electronics Corporation)
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RJP4010AGE

新規採用非推奨品

400V, 150A, IGBT for Strobe Flash

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概要

The RJP4010AGE 400V, 150A strobe insulated-gate bipolar transistor (IGBT) is available in an ultra-small TSOJ-8 package.

  • Ultra-small surface mount package (TSOJ-8)
  • VCES: 400V
  • ICM: 150- A at VGE = 3V, Tc = 70 °C, CM = 100μF
  • Drive voltage: 3.0V to 6V (Max)
  • Pb-free
  • Halogen-free

ドキュメント

ピックアップ
データシート
RJP4010AGE Datasheet
PDF 71 KB
カタログ
アナログIC　カタログ
PDF 5.67 MB English
アプリケーションノート
パワーMOSFET・IGBT 使用上の注意事項
PDF 633 KB English
アプリケーションノート
TO-247plus外形について
PDF 655 KB English
アプリケーションノート
IGBTの並列使用について
PDF 1.23 MB English
アプリケーションノート
IGBTアプリケーションノート
PDF 1.16 MB English
カタログ
Renesas Semiconductor Lead-Free Packages
PDF 1.32 MB
7件

設計・開発

ECADモデル

SamacSysの回路図シンボル、PCBフットプリント、および3D CADモデルは、製品オプションテーブルのCADモデルリンクをクリックすることで参照できます。シンボルまたはモデルが対応していない場合は、SamacSysに直接リクエスト可能です。

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