特長
- 11200V AE4 トレンチテクノロジー
- コレクタからエミッタへの低飽和電圧 VCE (sat) = 1.5V（typ.） （IC = 150A、VGE = 15V、Ta = 25°C時）
- 低損失スイッチング
- 内蔵Rgによる容易な並列化
説明
ルネサスのAE4 IGBTは、プロセス構造に独自のトレンチゲート構成を採用しています。これらのデバイスは、破壊耐量を犠牲にすることなく低オン電圧化を可能とし、更には、低スイッチングロス化を実現しています。本1200V/150A IGBTは、インバータなどの高出力アプリケーション向けに最適化されています。
アプリケーション
- 高速スイッチング
適用されたフィルター
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